技術(shù)編號：6761224
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明系關(guān)于一種使用在DRAM內(nèi)存的動態(tài)記憶胞元。背景技術(shù) 迄今已熟知的DRAM記憶胞元之缺點為在該胞元電荷流到該位線上時之激活期間，其位對僅有一條條位線之電壓會改變。在位線對的位線上之電壓差可由讀出放大器放大，其中該具有較高電荷的電壓會增加而該具有較低電荷的電壓會減少。在該位線對的位線上之電荷的發(fā)散分離并不完全對稱，因為從中心電壓進行，僅有一條位線連接至該儲存電容，使得最初僅有一條位線的電荷會在該記憶胞元的讀出期間改變。此導(dǎo)致該電荷在放大作用(預(yù)讀出(p...
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