技術(shù)編號(hào)：6756325
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電極結(jié)構(gòu)，特別是一種應(yīng)用于相變化存儲(chǔ)器中，可降低存儲(chǔ)器中電極與相變化層的接觸面積的電極，以降低操作時(shí)所需的電流及功率。背景技術(shù) 一般電子產(chǎn)品常需要多種存儲(chǔ)器的組合，所使用的存儲(chǔ)器以DRAM、SRAM、Flash等最為常見。目前有幾種新存儲(chǔ)器技術(shù)，包括鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(FeRAM)、磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和相變化存儲(chǔ)器(Phase ChangeMemory)都正在發(fā)展中。其中相變化存儲(chǔ)器在近幾年的發(fā)展下，以幾近量產(chǎn)的程度。相變化半導(dǎo)體存儲(chǔ)...
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