專利名稱：一種相變化存儲(chǔ)器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極結(jié)構(gòu)，特別是一種應(yīng)用于相變化存儲(chǔ)器中，可降低存儲(chǔ)器中電極與相變化層的接觸面積的電極，以降低操作時(shí)所需的電流及功率。
背景技術(shù)：
一般電子產(chǎn)品常需要多種存儲(chǔ)器的組合，所使用的存儲(chǔ)器以DRAM、SRAM、Flash等最為常見(jiàn)。目前有幾種新存儲(chǔ)器技術(shù)，包括鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(FeRAM)、磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)和相變化存儲(chǔ)器(Phase ChangeMemory)都正在發(fā)展中。其中相變化存儲(chǔ)器在近幾年的發(fā)展下，以幾近量產(chǎn)的程度。
相變化半導(dǎo)體存儲(chǔ)器利用物質(zhì)相的變化造成電阻值的變化來(lái)記憶數(shù)據(jù)，可做成象半導(dǎo)體集成電路一般來(lái)使用，其屬于非揮發(fā)性相轉(zhuǎn)變存儲(chǔ)器(Non-volatile Phase Change Memory)，可以在電源關(guān)閉的情況下仍維持?jǐn)?shù)據(jù)儲(chǔ)存的完整性。相變化存儲(chǔ)器操作方式是以通電加熱的方式，改變相變化材料(例如Ge2Sb2Te5)的結(jié)晶相，不同的結(jié)晶相具有不同的阻值，如此，即可用不同的阻值代表不同數(shù)字值的記錄狀態(tài)，例如0與1。
相變化存儲(chǔ)器在寫入記憶數(shù)據(jù)時(shí)，需提供電流源流入到選擇的記憶細(xì)胞元，經(jīng)過(guò)加熱電極加熱對(duì)相變化層加熱，以使得相變化層進(jìn)行結(jié)晶相的轉(zhuǎn)變(Phase transition)。由于加熱電極與晶體管相接，而一般而言，晶體管所能夠提供的電流有限，因此，減少相變化層進(jìn)行相變化所需要的電流就成為技術(shù)發(fā)展的主要方向。
而目前減少電流多半采用減少電極與相變化層的接觸面積的方式進(jìn)行。在現(xiàn)有技術(shù)中，減少電極與相變化層接觸面積的方法大致上可歸納為蝕刻尖形(tapered point)、間隔塊(spacer)、溝槽側(cè)壁(trench/sidewall)或邊緣接觸(edge contact)等方法，分別說(shuō)明如下。
美國(guó)第6746892號(hào)、第RE 37259號(hào)中所公開(kāi)的方法屬于蝕刻尖形(taperedpoint)法，其是在原工藝中，增加蝕刻次數(shù)，以產(chǎn)生尖形(tapered point)的下電極，進(jìn)而減少電極與相變化層的接觸面積。美國(guó)第6545287號(hào)、第6744088號(hào)、第6635951號(hào)則是利用間隔塊的方式，減少電極與相變化層的接觸面積，其是在原工藝中，加入蝕刻與化學(xué)機(jī)械研磨的工藝，以產(chǎn)生間隔塊。
而美國(guó)第6646297號(hào)、第6437383號(hào)專利則是利用溝槽側(cè)壁的方法減少電極的接觸面積，其是在原工藝中增加溝槽、蝕刻、側(cè)壁高度差異調(diào)整等工藝，以溝槽側(cè)壁的結(jié)構(gòu)形成下電極。這些現(xiàn)有技術(shù)所提到的技術(shù)方案，可能面臨工藝大幅改變或工藝控制困難度加深的技術(shù)問(wèn)題。
另外Ha；Y.H.等人(Samsung，Symposium on VLSI Technology 2003)則利用邊緣接觸的方式減少電極的接觸面積。然而，利用電極薄膜側(cè)邊的接觸會(huì)因薄膜厚度減小而增加后續(xù)工藝的困難度，光罩對(duì)準(zhǔn)控制程度對(duì)側(cè)邊的接觸面積大小影響很大，另外電極薄膜的寬度、長(zhǎng)度較難同時(shí)縮小因此可能影響記憶胞面積的縮小，影響存儲(chǔ)器的密度。
由目前的技術(shù)趨勢(shì)來(lái)看利用減少電極接觸面積進(jìn)而降低相變化存儲(chǔ)器操作所需的電流與功率是主要的趨勢(shì)。而現(xiàn)有技術(shù)所公開(kāi)的解決方式均可能有與工藝整合上的問(wèn)題，或是增加工藝控制的困難度。因此，提出一種可減少電極與相變化層接觸面積的新穎電極結(jié)構(gòu)就很有必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一相變化存儲(chǔ)器，以減少相變化存儲(chǔ)器的電極與相變化層的接觸面積，進(jìn)而降低相變化存儲(chǔ)器操作所需的電流與功率，以大體上解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
因此，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器，包括有一相變化層；一第一電極；以及一含孔隙介電層，形成于該相變化層與該電極之間，該含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使相變化層與該第一電極通過(guò)該多個(gè)孔隙形成接觸。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器的另一實(shí)施例，包括有一相變化層；一第一電極以及一第二電極；一第一含孔隙介電層，形成于該相變化層與該第一電極之間，該第一含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使相變化層與該第一電極通過(guò)該多個(gè)孔隙形成接觸；以及一第二含孔隙介電層，形成于該相變化層與該第二電極之間，該第二含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使相變化層與該第一電極通過(guò)該多個(gè)孔隙形成接觸。
根據(jù)本發(fā)明目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器以薄膜成膜條件、納米材料技術(shù)自我排列或利用微細(xì)顆粒/線作為成膜時(shí)的遮蔽區(qū)域等方法手段形成一含孔隙的介電膜層介于電極層與記憶層之間，以縮小記憶層與電極層的接觸面積。
根據(jù)本發(fā)明目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器可減小相變化存儲(chǔ)器電極接觸面積進(jìn)而降低相變化存儲(chǔ)器操作所需的電流與功率。
根據(jù)本發(fā)明目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器可控制相變化存儲(chǔ)器電極接觸面積大小。
根據(jù)本發(fā)明目的，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器在制作時(shí)不需要改變現(xiàn)有主要工藝，不會(huì)造成工藝控制困難度提高的技術(shù)問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A-圖2B為本發(fā)明另一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明又一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A-圖4F為本發(fā)明的相變化存儲(chǔ)器的制造流程示意圖；以及圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的制造流程示意圖；圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的制造流程示意圖。
其中，附圖標(biāo)記如下10-相變化層20-電極21-第一電極22-第二電極30-含孔隙介電層31-含孔隙介電層32-含孔隙介電層33-第一含孔隙介電層
34-第二含孔隙介電層41-孔隙42-孔隙43-孔隙44-孔隙50-介電層51-金屬層52-第一電極53-第一介電層54-含孔隙介電層55-相變化層56-第二電極57-第二介電層58-金屬層59-含孔隙介電層60-第一含孔隙介電層61-第二含孔隙介電層具體實(shí)施方式
為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造、特征、及其功能有進(jìn)一步的了解，現(xiàn)配合實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下。
請(qǐng)參考圖1，為本發(fā)明一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖，在此圖中，僅示出單一存儲(chǔ)器(或記憶細(xì)胞元)，實(shí)際上的存儲(chǔ)器數(shù)組可由一些如圖1所示的存儲(chǔ)器所組成。
相變化層10的一側(cè)形成有一電極20以提供電信號(hào)，以對(duì)相變化層10進(jìn)行加熱，使得相變化層10產(chǎn)生狀態(tài)變化，例如結(jié)晶態(tài)或非結(jié)晶態(tài)。
在電極20與相變化層10之間形成有一含孔隙介電層(porous dielectriclayer)30，含孔隙介電層30形成有無(wú)數(shù)個(gè)孔隙40。含孔隙介電層30的材料可選用多孔性的氧化硅、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等多孔性的介電材料。含孔隙介電層30中的孔隙40可供相變化層10填入，使得相變化層10可通過(guò)孔隙40與電極20形成接觸，以縮小電極與相變化層的接觸面積。
相變化層10可使用添加其它元素的SbTe共晶組成材料(doped eutecticSbTe)，如AgInSbTe、GeInSbTe；或使用GeSbTe化合物組成材料，如Ge2Sb2Te5。
電極20除了連接相變化層作為導(dǎo)通外，更具有幫助導(dǎo)熱的功能(heatsink)。在材料選擇方面，舉例來(lái)說(shuō)，最好選擇化性穩(wěn)定(不與相變化層反應(yīng))與導(dǎo)熱系數(shù)高的材料，如TiN、TaN、TiW、TiAlN、Mo、W、C。
請(qǐng)參考圖2A，為本發(fā)明另一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖，在此圖中，僅示出單一存儲(chǔ)器(或記憶細(xì)胞元)，實(shí)際上的存儲(chǔ)器數(shù)組可由一些如圖2A所示的存儲(chǔ)器所組成。
相變化層10的兩側(cè)分別形成有第一電極21與第二電極22，第一電極21與第二電極22提供電信號(hào)，以對(duì)相變化層10進(jìn)行加熱，使得相變化層10產(chǎn)生狀態(tài)變化，例如結(jié)晶態(tài)或非結(jié)晶態(tài)。
在第一電極21與相變化層10之間形成有一含孔隙介電層31。含孔隙介電層31形成有無(wú)數(shù)個(gè)孔隙41。含孔隙介電層31的材料可選用多孔性的氧化硅、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等多孔性的介電材料。含孔隙介電層31中的孔隙41可供相變化層10填入，使得相變化層10可通過(guò)孔隙41與第一電極21形成接觸，以縮小電極與相變化層的接觸面積。
在另一實(shí)施例中，可在第二電極22與相變化層10之間形成有一含孔隙介電層32，其中形成有無(wú)數(shù)個(gè)孔隙42，如圖2B所示。
請(qǐng)參考圖3，為本發(fā)明又一實(shí)施例的相變化存儲(chǔ)器的電極結(jié)構(gòu)示意圖，在此圖中，僅示出單一存儲(chǔ)器(或記憶細(xì)胞元)，實(shí)際上的存儲(chǔ)器數(shù)組可由一些如圖3所示的存儲(chǔ)器所組成。
相變化層10的兩側(cè)分別形成有第一電極21與第二電極22，第一電極21與第二電極22提供電信號(hào)，以對(duì)相變化層10進(jìn)行加熱，使得相變化層10產(chǎn)生狀態(tài)變化，例如結(jié)晶態(tài)或非結(jié)晶態(tài)。
在第一電極21與相變化層10之間形成有一第一含孔隙介電層33，在第二電極22與相變化層10之間形成有一第二含孔隙介電層34。第一含孔隙介電層33形成有無(wú)數(shù)個(gè)孔隙43。同樣地，第二含孔隙介電層34形成有無(wú)數(shù)個(gè)孔隙44。第一含孔隙介電層33、第二含孔隙介電層34的材料可選用多孔性的氧化硅、氮化硅、氮化鋁、碳化硅等多孔性的介電材料。第一含孔隙介電層33中的孔隙43與第二含孔隙介電層34中的孔隙44可供相變化層10填入，使得相變化層10可通過(guò)孔隙43、44與第一電極21、第二電極22形成接觸，以縮小電極與相變化層的接觸面積。
相變化層10可使用添加其它元素的SbTe共晶組成材料(doped eutecticSbTe)，如AgInSbTe、GeInSbTe；或使用GeSbTe化合物組成材料，如Ge2Sb2Te5。
第一電極21與第二電極22除了連接相變化層作為導(dǎo)通外，更具有幫助導(dǎo)熱的功能(heat sink)。在材料選擇方面，舉例來(lái)說(shuō)，最好選擇化性穩(wěn)定(不與相變化層反應(yīng))與導(dǎo)熱系數(shù)高的材料，如TiN、TaN、TiW、TiAlN、Mo、W、C。
在以上的實(shí)施例中，含孔隙介電層的形成方法說(shuō)明如下。
在一實(shí)施例中，先鍍上一層嵌段共聚物(block co-polymer)材料于電極上，通過(guò)其本身自我排列的特性形成孔隙，再沉積介電層于孔隙之中，接著再去除嵌段共聚物材料，而留下孔隙，即可鍍上相變化材料，使得相變化材料通過(guò)孔隙與電極形成接觸。
在另一實(shí)施例中，先鍍上一層晶格(lattice)材料于電極上，通過(guò)其本身自我排列的特性，使得粒子與粒子之間形成孔隙，再沉積介電層于孔隙之中，接著再去除lattice材料，而留下孔隙。最后，鍍上相變化材料，使得相變化材料通過(guò)孔隙與電極形成接觸。
在另一實(shí)施例中，可利用介電材料在薄膜工藝因?yàn)楸砻鎻埩λ纬傻姆沁B續(xù)膜或島狀結(jié)構(gòu)而形成孔隙，再鍍上相變化材料，使得相變化材料通過(guò)孔隙與電極形成接觸。
在另一實(shí)施例中，利用微細(xì)顆粒/線(例如nanowire)作為鍍膜時(shí)的遮蔽區(qū)域，然后在鍍膜后去除此微細(xì)顆粒/線之后，形成可控制覆蓋表面覆蓋率的孔隙介電層。
以下說(shuō)明圖1至圖3所公開(kāi)的實(shí)施例中，減少電極面積的原理。
假設(shè)含孔隙介電層的表面覆蓋率為f，電極因設(shè)計(jì)準(zhǔn)則產(chǎn)生的接觸面積為A，利用含孔隙介電層復(fù)合電極的設(shè)計(jì)，其與相變化層的接觸面積減少f×A，亦即接觸面積縮小成為(1-f)×A。假設(shè)每一接觸區(qū)要進(jìn)行相變化所需的單位面積上的焦耳熱功率(能量密度)相同，因此若在原接觸面積為A時(shí)，相變化所需之電流為I，電阻為R，則相變化所需的能量密度為I2R/A。假設(shè)本發(fā)明的復(fù)合電極將原接觸面積等效減少為n個(gè)面積為a的小接觸孔，總面積覆蓋率f。亦即，na＝A×(1-f)。
每一個(gè)小接觸孔因面積縮小，而電阻增高，假設(shè)與面積成反比，因此ra＝RA，其中r是小接觸孔的電阻。
每一小接觸孔所需的電流假設(shè)為i，由于相變化所需的能量密度固定，因此，i2r/a＝I2R/A?？傻弥猧＝I×(a/A)。
所有小接觸孔的總電流為ni，ni＝nI×(a/A)＝I×(1-f)。因?yàn)閒＜1，所以在復(fù)合電極n個(gè)面積為a的小接觸孔的情況下，總電流比原單一接觸面積時(shí)降低，同時(shí)總阻抗相當(dāng)于n個(gè)電阻為r歐姆的并聯(lián)，亦即r/n＝RA/na＝R/(1-f)，因?yàn)閒＜1，所以復(fù)合電極n個(gè)面積為a的小接觸孔總電阻比原單一接觸面積提高。由以上的說(shuō)明可知，通過(guò)含孔隙介電層與電極形成復(fù)合電極，可使得電極的接觸面積縮小，并減少電流。
請(qǐng)參考圖4A至圖4E，說(shuō)明了本發(fā)明的相變化存儲(chǔ)器的制造流程，現(xiàn)以圖2A所公開(kāi)的實(shí)施例結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)明。其中所述的步驟的順序并非固定不變及不可或缺的，有些步驟可同時(shí)進(jìn)行、省略或增加，此制作步驟是以較廣及簡(jiǎn)易的方式描述本發(fā)明的步驟特征，并非用以限定本發(fā)明的制造方法步驟順序及次數(shù)。
首先在前段工藝形成金屬層51于一介電層50中，作為電極與外部連接的導(dǎo)線，并沉積第一電極52。接著對(duì)第一電極52進(jìn)行蝕刻以形成預(yù)定的尺寸，其尺寸是依據(jù)工藝設(shè)計(jì)準(zhǔn)則與組件尺寸決定。在第一電極52的周圍形成一第一介電層53，以作為第一電極52的絕緣層，如圖4C所示。在一實(shí)施例中可對(duì)第一介電層53進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，以使其表面平坦化。
接著依序形成含孔隙介電層54、相變化層55以及第二電極56，其中相變化層55通過(guò)含孔隙介電層54中的孔隙與第一電極52形成接觸，如圖4D所示。在一實(shí)施例中，可對(duì)孔隙介電層54、相變化層55以及第二電極56進(jìn)行蝕刻，以調(diào)整其尺寸，最后鍍上一第二介電層57，以作為含孔隙介電層54、相變化層55以及第二電極56的絕緣層。在一實(shí)施例中，可對(duì)第二介電層57進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，以使其表面平坦化。繼續(xù)下一層金屬層58的成膜蝕刻，如圖4E至圖4F所示。
在另一實(shí)施例中，在形成第一電極52后，接著鍍上相變化層55、含孔隙介電層59以及第二電極56，如圖5所示。
在另一實(shí)施例中，在形成第一電極52后，接著鍍上第一含孔隙介電層60、相變化層55、第二含孔隙介電層61以及第二電極56，如圖6所示。
在以上的實(shí)施例中，其中含孔隙介電層的制作方法如圖1至圖3所示的實(shí)施例，在此不再重復(fù)說(shuō)明。
本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器，是以復(fù)合膜層的方法，包含以薄膜成膜條件或納米技術(shù)條件等方法手段形成一含孔隙的介電膜層介于電極與相變化層之間，以縮小記憶層與電極的接觸面積，進(jìn)而降低相變化存儲(chǔ)器所需的操作電流與功率。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器可在現(xiàn)有的工藝下制作，不需將現(xiàn)有的工藝進(jìn)行改變，因此也不會(huì)造成工藝控制困難度加深的可行性問(wèn)題。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種相變化存儲(chǔ)器，包括有一相變化層；一第一電極；以及一含孔隙介電層，形成于所述相變化層與所述第一電極之間，所述含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使所述相變化層與所述第一電極通過(guò)所述孔隙形成接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，進(jìn)一步包括一第二電極形成于所述相變化層的另一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述含孔隙介電層是利用嵌段共聚物材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由嵌段共聚物材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由晶格材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由薄膜工藝中所形成的非連續(xù)膜或島狀結(jié)構(gòu)而形成，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是利用微細(xì)顆粒/線作為鍍膜時(shí)的遮蔽區(qū)域，并在鍍膜后去除而形成。
8.一種相變化存儲(chǔ)器，包括有一相變化層；一第一電極以及一第二電極；一第一含孔隙介電層，形成于所述相變化層與所述第一電極之間，所述第一含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使所述相變化層與所述第一電極通過(guò)所述孔隙形成接觸；以及一第二含孔隙介電層，形成于所述相變化層與所述第二電極之間，所述第二含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使所述相變化層與所述第一電極通過(guò)所述孔隙形成接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由嵌段共聚物材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由晶格材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是由薄膜工藝中所形成的非連續(xù)膜或島狀結(jié)構(gòu)而形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的相變化存儲(chǔ)器，其特征在于，所述孔隙是利用微細(xì)顆粒/線作為鍍膜時(shí)的遮蔽區(qū)域，并于鍍膜后去除而形成。
13.一種相變化存儲(chǔ)器的制造方法，包括有下列步驟形成一第一電極；形成一第一介電層于所述第一電極的周圍；形成一第一含孔隙介電層于所述第一電極之上，其中，所述第一含孔隙介電層形成有多個(gè)孔隙；形成一相變化層于所述第一含孔隙介電層之上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成一第二電極于所述相變化層之上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成一第二介電層于所述第二電極之上。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成一第二含孔隙介電層于所述相變化層之上，其中，所述第二含孔隙介電層形成有多個(gè)孔隙；以及形成一第二電極于所述第二含孔隙介電層之上。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述孔隙是由嵌段共聚物材料形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述孔隙是由晶格材料形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述孔隙是由薄膜工藝中所形成的非連續(xù)膜或島狀結(jié)構(gòu)而形成。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述孔隙是利用微細(xì)顆粒/線作為鍍膜時(shí)的遮蔽區(qū)域，并于鍍膜后去除而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種相變化存儲(chǔ)器，包括有一相變化層；一第一電極；以及一含孔隙介電層，形成于該相變化層與該第一電極之間，該含孔隙介電層形成多個(gè)孔隙，以使相變化層與第一電極通過(guò)該孔隙形成接觸。本發(fā)明所公開(kāi)的相變化存儲(chǔ)器可減小相變化存儲(chǔ)器的電極接觸面積進(jìn)而降低相變化存儲(chǔ)器操作所需的電流與功率。
文檔編號(hào)G11C11/56GK1808735SQ20051000272
公開(kāi)日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2005年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月19日
發(fā)明者梁鉅銘 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院