技術(shù)編號：6755425
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲裝置，更具體地說，涉及用于讀出電阻存儲單元邏輯狀態(tài)的讀出電路。背景技術(shù) 基于電阻的存儲器陣列200，比如圖1所示的，一般包含交叉的行線210和列線220，它們在行線和列線的交叉點(diǎn)上通過電阻存儲單元230互連。磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)是包括如圖1所示布置的電阻存儲單元的存儲裝置的一個(gè)實(shí)例。圖1示出電阻存儲裝置的一部分。該裝置包括磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)單元陣列200、多個(gè)導(dǎo)電行線210以及多個(gè)導(dǎo)電列線220。每個(gè)行線通過各自MRAM...
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