技術(shù)編號：6752815
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器器件。更確切地說，本發(fā)明涉及能夠容易地分析其內(nèi)部操作的半導體存儲器芯片。背景技術(shù) 常規(guī)情況下，一種探測方法和一種使用電子束的方法已經(jīng)用于分析半導體芯片的內(nèi)部操作。所述探測方法是通過對半導體芯片中的一個節(jié)點應(yīng)用一根探針直接讀取內(nèi)部信號的計時和電壓變化。以這種方法，所述探針需要直接應(yīng)用于所述節(jié)點。所以，形成要評價所述芯片內(nèi)部操作的樣本芯片時，必須通過一種過程，比如從布線層以上去除氧化物薄膜。這種方法需要大量的時間來評價所述內(nèi)部操作。此外，...
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