技術編號：6748461
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器器件，具體涉及能夠完成高速讀出操作的半導體存儲器器件。通常，公知一種在存儲器晶體管中存儲具有至少兩位的數(shù)字數(shù)據(jù)的多值半導體存儲器器件。在常規(guī)的多值半導體存儲器器件中，根據(jù)存儲器晶體管的閾值電平定義數(shù)字數(shù)據(jù)。假定數(shù)字數(shù)據(jù)具有低位數(shù)據(jù)和高位數(shù)據(jù)。在進行讀出操作時，為確定該數(shù)字數(shù)據(jù)將讀出電壓以從低電壓到高電壓的增加的順序施加到存儲器晶體管。當以從低電壓到高電壓的增加的順序?qū)⒆x出電壓施加到存儲器晶體管時首先確定低位數(shù)據(jù)，然后確定高位數(shù)據(jù)。然而...
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