技術(shù)編號：6747450
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)之類的半導(dǎo)體存儲器，更詳細地說，涉及一種具有分層位線和/或字線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲器。為了增加存儲器芯片的集成密度，幾年前就已開發(fā)了分層或“分段(segmented)”位線結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)對于一給定的存儲單元數(shù)能夠減少讀出放大器的空間消耗數(shù)，因而減小了芯片尺寸或?qū)τ谝唤o定尺寸的芯片增加了存儲容量。附圖說明圖1示出了一種常規(guī)的半導(dǎo)體存儲器的分層位線結(jié)構(gòu)。在該存儲器單元陣列的任何給定的列Cj中，一主位線MBLj，被有選擇地...
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