技術編號：6741404
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在此描述的本發(fā)明構思的一些示例實施例涉及一種半導體存儲器，并且更具體地，涉及一種二晶體管(2-transistor)快閃存儲器和/或對二晶體管快閃存儲器編程的方法。背景技術半導體存儲設備是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等的半導體制造的存儲設備。將半導體存儲設備分類為易失性存儲設備和非易失性存儲設備。易失性存儲設備可能在斷電時失去存儲的內容。易失性存儲設備包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動態(tài)RAM (DRAM)、同步DRAM...
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