技術(shù)編號：6549481
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供了一種存儲控制器，通過將單層單元存儲陣列集成到存儲控制器中，并替代部分或者全部數(shù)據(jù)緩沖器，因此本發(fā)明所提供之集成的單層單元NAND存儲陣列具有存儲單元尺寸小、成本低、功耗低、非易失性等優(yōu)勢，因而本發(fā)明這種新型的NAND存儲控制器結(jié)構(gòu)適用于對功耗、成本或容量要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域。同時，如果某種應(yīng)用環(huán)境對速度要求也很高，那么單層單元NAND陣列可以作為第二級數(shù)據(jù)緩存器，與第一級SRAM或者DRAM緩存器組成一個混合式數(shù)據(jù)緩存器，既達(dá)到了高速讀寫的目的，...
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