技術(shù)編號：6462724
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及，特別適用于作 為存儲介質(zhì)使用了在電氣上可改寫的非易失性存儲器的半導體存儲裝置及半 導體存儲裝置的控制方法。 背景技術(shù)已知如下一種半導體存儲裝置，將一個邏輯塊內(nèi)的數(shù)據(jù)向多個閃速存儲器 物理塊分配然后進行存儲，在更新各物理塊內(nèi)的存儲數(shù)據(jù)時，在該物理塊內(nèi)的 空白頁上記錄該更新數(shù)據(jù)，然后使原存儲數(shù)據(jù)無效，此外，如果該物理塊內(nèi)的 空白頁不足，則一邊將該物理塊內(nèi)的最新的更新數(shù)據(jù)與該存儲數(shù)據(jù)合并， 一邊 復制到其他的物理塊中，確保新的空白頁，記錄以后的更新數(shù)...
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