技術(shù)編號(hào):5282861
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。,在微波部件表面生長(zhǎng)ZnO納米陣列,然后通過(guò)電化學(xué)沉積在納米陣列間隙鍍銀,并使用稀鹽酸對(duì)鍍銀后的樣片進(jìn)行腐蝕處理,最終在微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)在微波部件表面構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu),可極大提高微波部件的表面孔隙率及納米孔的深寬比,對(duì)微波部件表面的二次電子發(fā)射產(chǎn)生明顯抑制,將部件表面二次電子發(fā)射系數(shù)降到1.0以下。專(zhuān)利說(shuō)明—種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu) 的制備方法[0001]本發(fā)明屬于微波,涉及一種抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的...
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