一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法
【專利摘要】一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，在微波部件表面生長(zhǎng)ZnO納米陣列，然后通過(guò)電化學(xué)沉積在納米陣列間隙鍍銀，并使用稀鹽酸對(duì)鍍銀后的樣片進(jìn)行腐蝕處理，最終在微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)在微波部件表面構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)，可極大提高微波部件的表面孔隙率及納米孔的深寬比，對(duì)微波部件表面的二次電子發(fā)射產(chǎn)生明顯抑制，將部件表面二次電子發(fā)射系數(shù)降到1.0以下。
【專利說(shuō)明】—種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)
的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于微波【技術(shù)領(lǐng)域】，涉及一種抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的方法，具體涉及一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]微放電通常是由部件中傳輸?shù)纳漕l電場(chǎng)所激發(fā)，在射頻電場(chǎng)中被加速而獲得能量的電子撞擊部件表面產(chǎn)生二次電子所形成的倍增放電現(xiàn)象。目前衛(wèi)星有效載荷系統(tǒng)中微波無(wú)源部件基材大部分是表面鍍銀的鋁合金，這些鍍銀部件在大功率電磁波傳輸過(guò)程中易發(fā)生微放電，而微放電擊穿是決定衛(wèi)星工作可靠性的主要原因之一。此外，由于二次電子發(fā)射所引起的微放電現(xiàn)象，也常常會(huì)使諧振類設(shè)備失諧，導(dǎo)致所傳輸?shù)奈⒉ㄐ盘?hào)失調(diào)、產(chǎn)生靠近載波頻率的窄帶噪聲、在部件表面產(chǎn)生電子侵蝕等問(wèn)題，極大地影響微波部件的工作性能及使用壽命。隨著微波部件的工作范圍日漸擴(kuò)大，對(duì)抑制微放電的需求日益迫切。
[0003]微放電現(xiàn)象發(fā)生的必要條件之一是微波部件腔體表面的平均二次電子發(fā)射系數(shù)(SEY)大于I,即腔內(nèi)自由電子在微波場(chǎng)加速條件下的初始能量Ep大于微波部件的放電閾值(可加載微波信號(hào)的最大電壓或功率)。目前，在不改變微波部件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的前提下，提高其微放電閾值的途徑主要有:⑴在部件表面涂覆一層低SEY的鍍層材料，例如Alodine、TiN等。采用這些新型鍍層材料 降低部件表面SEY，環(huán)境穩(wěn)定性好，但這類鍍層自身導(dǎo)電性差，在高頻條件下表面阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需求；⑵在部件表面構(gòu)造一定的粗糙結(jié)構(gòu)，利用二次電子在粗糙結(jié)構(gòu)間隙被多次反射吸收的方法降低部件表面SEY，提高微波部件微放電閾值，采用這類方法的優(yōu)點(diǎn)是可避免上述途徑中由于鍍層的導(dǎo)電性差導(dǎo)致的高損耗問(wèn)題。
[0004]目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了采用毫米級(jí)的規(guī)則結(jié)構(gòu)來(lái)抑制SEY，但在一定的場(chǎng)合(例如，大功率微波系統(tǒng))這種毫米級(jí)的表面結(jié)構(gòu)在抑制SEY的同時(shí)會(huì)引起系統(tǒng)其他方面性能的惡化，比如微波損耗會(huì)因這種毫米級(jí)起伏結(jié)構(gòu)而顯著增加，而且微波器件的電磁波傳輸特性也很可能因這種結(jié)構(gòu)而惡化，從而導(dǎo)致器件或系統(tǒng)性能指標(biāo)無(wú)法滿足要求。因此，在更小尺度上實(shí)現(xiàn)這種表面結(jié)構(gòu)，使其在達(dá)到抑制SEY的同時(shí)又不顯著惡化器件或系統(tǒng)性能變得非常必要。申請(qǐng)?zhí)枮?01210215615.7的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了“一種利用規(guī)則陣列結(jié)構(gòu)減小金屬二次電子發(fā)射系數(shù)的方法”，該方法提出依次通過(guò)超聲清洗、旋轉(zhuǎn)涂膠、烘烤、曝光、烘烤、顯影處理以及刻蝕液刻蝕等操作，實(shí)現(xiàn)微波部件表面規(guī)則納米孔陣列結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑，但該方法操作程序較多，且刻蝕過(guò)程不可控。申請(qǐng)?zhí)枮?01210431364.6的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了 “一種抑制微波部件微放電效應(yīng)的微刻蝕工藝方法”，該方法提出在經(jīng)必要清洗除油的微波部件表面利用化學(xué)法微刻蝕出納米級(jí)的陷阱結(jié)構(gòu)，該陷阱結(jié)構(gòu)能對(duì)部件表面二次電子發(fā)射產(chǎn)生明顯抑制，并可顯著提高部件微放電閾值。但由于化學(xué)刻蝕過(guò)程往往可控性不強(qiáng)，導(dǎo)致采用該化學(xué)法構(gòu)筑陷阱結(jié)構(gòu)的成品率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的是提供一種利用銀膜陷阱結(jié)構(gòu)抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的方法，能夠使得微波部件表面的二次電子發(fā)射系數(shù)小于1.0。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0007]a) ZnO納米陣列的制備:首先，在微波部件表面涂覆一層二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，烘干后重復(fù)多次涂覆、烘干，其次，將微波部件在紫外燈下照射，制得晶種層，最后，在室溫常壓下，將微波部件帶有晶種層的一面向下，傾斜置于90_95°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)后，經(jīng)水洗、烘干得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件；所述二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液的濃度為0.01~0.04mol/L ；
[0008]b)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，進(jìn)行鍍銀；鍍銀完畢后，采用0.001~0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理以去除ZnO納米陣列，然后清洗、干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。
[0009]步驟b)中所述鍍銀的具體過(guò)程為:采用0.8~1.4V的沉積電壓進(jìn)行鍍銀，鍍銀時(shí)間為lOmin，或采用0.8~1.4V的沉積電壓進(jìn)行間隔鍍銀，第一次鍍銀的時(shí)間為10~25min,間隔IOmin后,進(jìn)行第二次鍍銀,第二次鍍銀時(shí)間為10~20min ;鍍銀的電解液為硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液。
[0010]步驟b)之后還包括步驟c):以步驟b)中清洗、干燥后的微波部件再次作為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，采用0.6~0.8V的沉積電壓進(jìn)行鍍銀，鍍銀完畢后，采用0.001mol/L~0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件進(jìn)行腐蝕處理以進(jìn)一步去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)；其中，鍍銀的電解液為硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液。`
[0011]所述硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液的濃度為0.01mol/L ;步驟c)中鍍銀時(shí)間為10~25min ;步驟b)中腐蝕處理的時(shí)間為2~5小時(shí)，步驟c)中腐蝕處理的時(shí)間為3小時(shí)。
[0012]所述硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為1:1~4:1混合的溶液中制得的。
[0013]所述步驟a)中的微波部件表面涂覆前經(jīng)過(guò)清洗，具體是將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中超聲清洗后烘干。
[0014]所述微波部件的材質(zhì)為表面鍍銀的鋁合金；所述烘干的溫度為60~70V。
[0015]所述紫外燈的功率為300W，照射的時(shí)間為30~60min。
[0016]所述鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，其中鋅離子的摩爾濃度為0.03~0.06mol/L,生長(zhǎng)的時(shí)間為4~5小時(shí)。
[0017]所述鍍銀中陽(yáng)極和陰極間的垂直距離為1.0~2.5cm。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的有益效果:
[0019](I)本發(fā)明采用ZnO納米陣列作模板在微波部件表面構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)，使得微波部件的表面粗糙度明顯增大，孔隙率提高，并且可通過(guò)對(duì)ZnO納米陣列密度分布和縱橫比的調(diào)節(jié)制備出具有大的表面孔隙率和深寬比的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)，抑制微波部件表面二次電子發(fā)射，本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、條件溫和。
[0020](2)本發(fā)明采用雙電極體系在ZnO納米陣列間隙鍍銀，制備出的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)形貌可控、重復(fù)性良好。[0021](3)本發(fā)明在微波部件表面構(gòu)筑的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)能夠抑制表面二次電子發(fā)射，構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的微波部件表面SEY均小于I。
[0022]進(jìn)一步的，本發(fā)明采用0.001~0.004mol/L的稀鹽酸進(jìn)行腐蝕處理去除ZnO納米陣列，對(duì)微波部件本身沒(méi)有損害。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為構(gòu)筑陷阱結(jié)構(gòu)之前微波部件表面SEM圖；
[0024]圖2為微波部件表面構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)后的SEM圖；
[0025]圖3為構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)后微波部件的SEY特性曲線，其中，一號(hào)點(diǎn)、二號(hào)點(diǎn)、三號(hào)點(diǎn)分別指微波部件表面隨機(jī)的三個(gè)不同的測(cè)試點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。本發(fā)明中微波部件的材質(zhì)為表面鍍銀的鋁合金。
[0027]實(shí)施例1
[0028]a)微波部件的清洗:將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中各超聲清洗15min,烘干,備用；
[0029]b) ZnO納米陣 列的制備:首先，通過(guò)浸涂的方法在微波部件表面涂覆一層濃度為0.01mol/L的二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，然后于60°C下烘干，并依次重復(fù)涂覆、烘干的操作兩次。其次，將微波部件置于300W的紫外燈下照射30min，制得晶種層。然后，在室溫常壓條件下，將上述含有晶種層的微波部件正面向下(即生長(zhǎng)有晶種層的一面向下)，傾斜置于95°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)4小時(shí)。生長(zhǎng)完畢后取出微波部件，經(jīng)去離子水清洗干凈，烘干得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件。其中，鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，鋅離子的摩爾濃度為0.03mol/L。
[0030]c)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以上述生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，兩電極間的垂直距離為1.5cm，采用0.8V的沉積電壓鍍銀lOmin。鍍銀完畢后，采用0.001mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理5小時(shí)去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)；其中，鍍銀的電解液為0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液；硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為1:1混合的溶液中制得的。
[0031]實(shí)施例2
[0032]a)微波部件的清洗:將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中各超聲清洗15min,烘干,備用；
[0033]b) ZnO納米陣列的制備:首先，通過(guò)浸涂的方法在微波部件表面涂覆一層濃度為0.04mol/L的二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，然后70°C下烘干，并依次重復(fù)涂覆、烘干的操作三次。其次，將微波部件置于300W的紫外燈下照射40min，制得晶種層。然后，在室溫常壓條件下，將上述含有晶種層的微波部件正面向下(即生長(zhǎng)有晶種層的一面向下)，傾斜置于90°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)5小時(shí)。生長(zhǎng)完畢后取出微波部件，經(jīng)去離子水清洗干凈，烘干得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件；其中，鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，并且鋅離子的摩爾濃度為0.04mol/L。
[0034]c)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以上述生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，兩電極間的垂直距離為1.0cm，采用1.0V的沉積電壓間歇鍍銀兩次。其中，第一次鍍銀時(shí)間為15min，間歇IOmin后進(jìn)行第二次鍍銀，時(shí)間為20min ;鍍銀完畢后，采用0.002mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理5小時(shí)去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)；其中，鍍銀的電解液為0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液；硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為2:1混合的溶液中制得的。
[0035]實(shí)施例3
[0036]a)微波部件的清洗:將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中各超聲清洗15min,烘干,備用；
[0037]b) ZnO納米陣列的制備:首先，通過(guò)浸涂的方法在微波部件表面涂覆一層濃度為
0.03mol/L的二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，然后于65°C下烘干，并依次重復(fù)涂覆、烘干的操作四次。其次，將微波部件置于300W的紫外燈下照射50min，制得晶種層。然后，在常溫常壓條件下，將上述含有晶種層的微波部件正面向下(即生長(zhǎng)有晶種層的一面向下)，傾斜置于92°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)4.5小時(shí)。生長(zhǎng)完畢后取出微波部件，經(jīng)去離子水清洗干凈，烘干得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件；其中，鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，并且鋅離子的摩爾濃度為0.06mol/L。
[0038]c)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以上述生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，兩電極間的垂直距離為1.0cm，采用1.2V的沉積電壓間歇鍍銀兩次。其中，第一次鍍銀時(shí)間為20min，間歇IOmin后進(jìn)行第二次鍍銀，時(shí)間為20min ;鍍銀完畢后，采用0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理2小時(shí)去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥；其中，鍍銀的電解液為0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液；硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為3:1混合的溶液中制得的。
[0039]d)以上述腐蝕處理，清洗、干燥后的微波部件再次作為陰極，兩電極間的垂直距離為1.0cm,采用0.6V的沉積電壓進(jìn)行電化學(xué)沉積鍍銀,鍍銀時(shí)間為lOmin。鍍銀完畢后,采用0.001mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理3小時(shí)以進(jìn)一步去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)；其中鍍銀的電解液為重新配制的0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液；硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為3:1混合的溶液中制得的。
[0040]實(shí)施例4
[0041]a)微波部件的清洗:將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中各超聲清洗15min,烘干,備用；
[0042]b) ZnO納米陣列的制備:首先，通過(guò)浸涂的方法在微波部件表面涂覆一層濃度為
0.02mol/L的二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，然后于60°C下烘干，并依次重復(fù)涂覆、烘干的操作兩次。其次，將微波部件置于300W的紫外燈下照射60min，制得晶種層。然后，在室溫常壓條件下，將上述含有晶種層的微波部件正面向下(即生長(zhǎng)有晶種層的一面向下)，傾斜置于95°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)4.5小時(shí)。生長(zhǎng)完畢后取出微波部件，經(jīng)去離子水清洗干凈，烘干得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件；其中，鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，并且鋅離子的摩爾濃度為0.05mol/L。
[0043]c)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以上述生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，兩電極間的垂直距離為2.5cm，采用1.4V的沉積電壓間歇鍍銀兩次。其中，第一次鍍銀時(shí)間為25min，間歇IOmin后進(jìn)行第二次鍍銀，時(shí)間為IOmin ;鍍銀完畢后，采用0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理2小時(shí)去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥。其中，鍍銀的電解液為0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液；硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為4:1混合的溶液中制得的；
[0044]d)以上述腐蝕處理，清洗、干燥后的微波部件再次作為陰極，兩電極間的垂直距離為2.5cm,使用0.8V的沉積電壓進(jìn)行電化學(xué)沉積鍍銀,鍍銀時(shí)間為25min。其中電解液為重新配制的0.01mol/L的硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液。鍍銀完畢后，使用0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)部件腐蝕處理3小時(shí)進(jìn)一步去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。
[0045]圖1為微波部件表面沒(méi)有構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的SEM圖，圖2為本發(fā)明制得的構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)后微波部件表面的SEM圖，通過(guò)圖1和圖2的對(duì)比可知，構(gòu)筑了銀膜陷阱結(jié)構(gòu)之后的微波部件表面粗糙度明顯增大，孔隙率提高。構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)后微波部件的SEY曲線見圖3所示，由圖3可知在微波部件表面隨機(jī)抽取三個(gè)測(cè)試點(diǎn)，其SEY均小于I。
[0046]本發(fā)明通過(guò)在微波部件表面生長(zhǎng)ZnO納米陣列，然后通過(guò)電化學(xué)沉積在納米陣列間隙鍍銀，并使用稀鹽酸對(duì)鍍銀后的樣片進(jìn)行腐蝕處理，最終微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。使用該方法構(gòu)筑銀膜陷阱結(jié)構(gòu)，可極大提高微波部件的表面孔隙率及納米孔的深寬t匕，對(duì)微波部件表面的二次電子發(fā)射產(chǎn)生明顯抑制，將微波部件表面二次電子發(fā)射系數(shù)降到1.0以下。
[0047]本發(fā)明的內(nèi)容不限于實(shí)施例所列舉，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)閱讀本發(fā)明說(shuō)明書而對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案采取的任何等效的變換，均為本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: a)ZnO納米陣列的制備:首先，在微波部件表面涂覆一層二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液，烘干后重復(fù)多次涂覆、烘干，其次，將微波部件在紫外燈下照射，制得晶種層，最后，在室溫常壓下，將微波部件帶有晶種層的一面向下，傾斜置于90-95°C的鋅鹽溶液中生長(zhǎng)后，經(jīng)水洗、烘干，得到生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件；所述二水合醋酸鋅的無(wú)水乙醇溶液的濃度為 0.01 ~0.04mol/L ； b)銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑:采用雙電極體系，以生長(zhǎng)有ZnO納米陣列的微波部件為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，進(jìn)行鍍銀；鍍銀完畢后，采用0.001~0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件腐蝕處理以去除ZnO納米陣列，然后清洗、干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟b)中所述的鍍銀的具體過(guò)程為:采用0.8~1.4V的沉積電壓進(jìn)行鍍銀，鍍銀時(shí)間為lOmin，或采用0.8~1.4V的沉積電壓進(jìn)行間隔鍍銀，第一次鍍銀的時(shí)間為10~25min,間隔IOmin后,進(jìn)行第二次鍍銀,第二次鍍銀時(shí)間為10~20min ;鍍銀的電解液為硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟b)之后還包括步驟c):以步驟b)中清洗、干燥后的微波部件再次作為陰極，并以等面積的銀箔為陽(yáng)極，采用0.6~0.8V的沉積電壓進(jìn)行鍍銀，鍍銀完畢后，采用0.0Olmol/L~0.004mol/L的稀鹽酸對(duì)微波部件進(jìn)行腐蝕處理以進(jìn)一步去除ZnO納米陣列，然后清洗并干燥，微波部件表面形成銀膜陷阱結(jié)構(gòu)；其中，鍍銀的電解液為硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液 。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液的濃度為0.01mol/L ;步驟c)中鍍銀時(shí)間為10~25min ;步驟b)中腐蝕處理的時(shí)間為2~5小時(shí)，步驟c)中腐蝕處理的時(shí)間為3小時(shí)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述硝酸銀的無(wú)水乙醇-水溶液指將硝酸銀溶于無(wú)水乙醇與水按體積比為1:1~4:1混合的溶液中制得的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中的微波部件表面涂覆前經(jīng)過(guò)清洗，具體是將微波部件分別置于丙酮、無(wú)水乙醇、去離子水中超聲清洗后烘干。
7.根據(jù)權(quán)利要求1中任意一項(xiàng)所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述微波部件的材質(zhì)為表面鍍銀的鋁合金；所述烘干的溫度為60~70°C。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述紫外燈的功率為300W，照射的時(shí)間為30~60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽溶液為等摩爾比的六水合硝酸鋅和六亞甲基四胺組成的水溶液，其中鋅離子的摩爾濃度為0.03~0.06mol/L，生長(zhǎng)的時(shí)間為4~5小時(shí)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于抑制微波部件表面二次電子發(fā)射的銀膜陷阱結(jié)構(gòu) 的制備方 法，其特征在于，所述鍍銀中陽(yáng)極和陰極間的垂直距離為1.0~2.5cm。
【文檔編號(hào)】C25D3/46GK103882487SQ201410111226
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月24日
【發(fā)明者】馬建中, 張永輝, 鮑艷, 崔萬(wàn)照, 胡天存 申請(qǐng)人:陜西科技大學(xué), 西安空間無(wú)線電技術(shù)研究所