技術(shù)編號：5270771
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了，包括以下步驟，提供一設(shè)有硅納米線的硅片；在所述硅片上依次生長具有第一厚度的第一Si3N4薄膜、SiO2薄膜以及具有第二厚度的第二Si3N4薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；進(jìn)行光刻工藝，將所述第二Si3N4薄膜圖形化，形成窗口，沿所述窗口刻蝕暴露的所述硅納米線上方的第二Si3N4薄膜區(qū)域至暴露出該第二Si3N4薄膜區(qū)域下方的SiO2薄膜；繼續(xù)刻蝕；去除所述其余第二Si3N4薄膜區(qū)域覆蓋的光刻膠；接著置于濃磷酸中，腐蝕掉硅納米線上方的第一Si3N...
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