技術(shù)編號(hào)：5265124
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)。 背景技術(shù)微電子學(xué)領(lǐng)域中的許多應(yīng)用需要將半導(dǎo)體襯底向下結(jié)構(gòu)化到襯底的深部區(qū)域。這些應(yīng)用的例子可以在功率電子器件(高電壓部件)的領(lǐng)域、傳感器裝置的領(lǐng)域、微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS)等等中找到。半導(dǎo)體襯底的深結(jié)構(gòu)化有時(shí)被稱為“3D集成”。在半導(dǎo)體襯底中產(chǎn)生腔和/或槽(recess)典型地需要，從襯底的主表面中的一個(gè)蝕刻襯底，或者在半導(dǎo)體襯底的主表面上淀積新物質(zhì)并且同時(shí)掩蔽未來(lái)的腔或槽的部位或位置。特別是當(dāng)借助于蝕刻工藝...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。