技術編號：5117346
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性鐵電存儲器設備及其制備方法，它例如可以與聚合物加工方法相容。更具體地說，本發(fā)明涉及包括鐵電聚合物-絕緣層與有機雙極半導體(organic ambipolar semiconductor)的結合的非易失性鐵電存儲器設備。存儲器技術大致可分為兩類易失性和非易失性存儲器。易失性存儲器，例如SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)，當斷電時丟失它們的存儲信息，而以ROM(只讀存儲器)技術為基礎的非易失性存儲器，不丟失它們的存...
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