技術(shù)編號：40539208
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電放電保護結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、集成電路容易受到靜電的破壞，在現(xiàn)有的芯片設(shè)計中，常采用靜電放電(esd，electrostatic?discharge)保護電路以減少芯片損傷。、然而隨著半導(dǎo)體集成電路(integrated?circuit，ic)產(chǎn)業(yè)的快速成長，半導(dǎo)體技術(shù)在摩爾定律的驅(qū)動下持續(xù)地朝更小的工藝節(jié)點邁進，使得集成電路朝著體積更小、電路精密度更高、電路復(fù)雜度更高的方向發(fā)展。、因此，現(xiàn)有技術(shù)中的靜電保護結(jié)構(gòu)的性能有待提高。技術(shù)實現(xiàn)思路、本發(fā)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。