技術(shù)編號(hào):40463697
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及細(xì)絲熱場(chǎng)爐領(lǐng)域,尤其涉及一種細(xì)絲熱場(chǎng)爐用電熱絲間距調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、pe工藝全稱pecvd,其目的是在硅片表面形成固態(tài)薄膜。其工藝原理是通過(guò)將產(chǎn)品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用細(xì)絲熱場(chǎng)爐(pecvd反應(yīng)爐)內(nèi)部的加熱體來(lái)將產(chǎn)品升溫至預(yù)定溫度,然后通入適量反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)過(guò)一些列化學(xué)變化和等離子反應(yīng),在產(chǎn)品表面成型固態(tài)薄膜,而在高溫條件下,利用物質(zhì)從高濃度向低濃度運(yùn)動(dòng)的特性,將原子以一定可控性參入半導(dǎo)體中。產(chǎn)品到達(dá)預(yù)定溫度后類磷、硼等元素在產(chǎn)品表面進(jìn)行擴(kuò)散處理,而現(xiàn)有的pe工藝多...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。