技術編號：3431683
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種納米材料的制備方法，特別是涉及一種通過氧化前驅(qū)體硫化鋅制備氧化鋅一維納米材料的方法。背景技術 ZnO是一種重要的II-VI族寬禁帶、直接帶隙半導體材料，室溫下禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能為60meV，被認為是繼ZnSe、GaN之后又一種新型光電材料，可應用于短波長激光器、紫外探測器、發(fā)光二極管、太陽能電池、場效應晶體管、化學傳感器等領域。一維納米材料是指載流子僅在一個方向可以自由運動，而在另外兩個方向則受到約束的材料體系。近年來，一維納...
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