技術(shù)編號(hào):3431649
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種由微粒硅和氣體氯化氫制造三氯單硅烷的方法。背景技術(shù) 近幾年半導(dǎo)體工業(yè)和光電工業(yè)的超純硅需求量急劇上升。不同的制造途徑中,用氫實(shí)施三氯硅烷的沉積已證明是商業(yè)上受人注目的變化形式。半導(dǎo)體領(lǐng)域中所用硅的90%是由經(jīng)提純的三氯硅烷制得。三氯硅烷是在流化床反應(yīng)器中由金屬硅制得的。例如,US-A-4,092,446中對(duì)此進(jìn)行了描述。其中描述了一種反應(yīng)器,由硅微粒組成的硅床與氯化氫在其中一同流過。氯化氫與硅微粒反應(yīng)生成四氯化硅、三氯單硅烷和氫。其中既未揭示...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。