技術(shù)編號:3427748
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬半導(dǎo)體材料物理與化學(xué)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示錳摻雜的銻化鎵單晶的缺陷和生長條紋的方法。本發(fā)明利用化學(xué)試劑通過一定的實驗方法,可以方便、快捷、有效 的顯示錳摻雜的銻化鎵單晶中的位錯、晶界等缺陷和生長條紋。背景技術(shù)近年來,伴隨著自旋電子學(xué)的發(fā)展,稀磁半導(dǎo)體材料的研究成為了熱點。通過摻雜 磁性過渡金屬元素或稀土金屬元素進入半導(dǎo)體中形成具有一定磁性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,展現(xiàn) 出了獨特的物理現(xiàn)象和廣闊的應(yīng)用前景。稀磁半導(dǎo)體材料的制備方法主要是薄膜生長,例如分子束外延...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。