技術(shù)編號:3405062
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于微電子器件制造的超臨界流體裝置和將所述裝置 用于去除或沉積工藝的方法,該工藝包括但不限于微電子器件的蝕刻、 清潔、粒子去除、殘渣去除、薄膜沉積和光致抗蝕劑層去除。相關(guān)技術(shù)描述微電子器件制造工業(yè)已經(jīng)進(jìn)行了大量持續(xù)的努力,來開發(fā)用于對 微電子器件進(jìn)行蝕刻、清潔和離子注入硬化光致抗蝕劑及其殘渣去除 的改進(jìn)工藝。由于臨界尺寸持續(xù)快速地減小,這種努力已經(jīng)受挫。常 規(guī)濕法清潔方法、包括使用水基組合物,遭遇到的基本限制是部分地 由于清潔溶液中所用液體的高表...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。