技術(shù)編號：3403352
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于在襯底上形成或沉積含釕膜的前驅(qū)體(下文中稱為含釕膜形成前驅(qū)體)以及用于形成含釕膜的方法。背景技術(shù) 釕和釕化合物(例如氧化釕)被認為是用于下一代DRAM的電容器電極材料的最具前景的材料。這些電容器電極目前采用高介電常數(shù)材料，例如氧化鋁、五氧化二鉭、氧化鉿和鈦酸鍶鋇(BST)。然而，這些材料是在高600℃的溫度下制備的，這導(dǎo)致多晶硅、硅和鋁氧化，并造成電容損失。另一方面，釕和氧化釕均具有高抗氧化性和高電導(dǎo)率，并且適合用作電容器電極材料。它們還可以...
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