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一種雙向磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):3386485

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本實(shí)用新型涉及PECVD設(shè)備的磁場(chǎng),具體地說(shuō)是一種可以提高原料利用率和提高膜層沉積速度,進(jìn)而提高產(chǎn)能的雙向磁場(chǎng)增強(qiáng)裝置。背景技術(shù)隨著經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展,微電子技術(shù)得到了迅猛地發(fā)展,PECVD等離子體處理設(shè)備的開(kāi)發(fā)和使用也日益廣泛。PECVD即為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法,在化學(xué)氣相沉積時(shí),為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,可以利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),這種化學(xué)氣相沉積方法稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法,實(shí)施該種加工方法的設(shè)備為PECVD設(shè)備。用于太...
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