技術(shù)編號:3315038
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是一種采用化學(xué)浴反應(yīng)制備的ZnS薄膜的方法。本方法采用硫酸鋅和硫脲分別作為鋅源和硫源,以氯化銨為緩沖劑,氨水和聯(lián)氨為聯(lián)合絡(luò)合劑,在50℃~90℃水浴反應(yīng)5min~30min即可制得ZnS薄膜,薄膜均勻致密,無針孔,透過率高,適合代替CdS用作CIGS薄膜太陽能電池的緩沖層。此方法不僅設(shè)備簡單,操作方便,工藝重復(fù)性好,而且反應(yīng)速度快,制得的ZnS薄膜均勻致密、透過率高,厚度可控,克服了其他制備方法所需設(shè)備昂貴且反應(yīng)時間長等缺點(diǎn),顯著降低生產(chǎn)成本,提高生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。