技術(shù)編號(hào):3250039
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造過(guò)程中采用的平坦化研磨法和半導(dǎo)體裝置的制 造方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置即所謂的半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中,在形成淺溝隔 離(shallow trench isolation)(STI)區(qū)作為半導(dǎo)體集成電路元件隔離區(qū)的步驟 中,廣泛采用化學(xué)機(jī)械研磨(chemical mechanical polishing)(CMP)技術(shù)作為表 面平坦化技術(shù)。通常,以圖6所示的方式形成半導(dǎo)體裝置中的STI區(qū)。首先,如圖6A所示,在硅半導(dǎo)體基板1的表面上沉...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。