技術編號：2964789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及依據(jù)權利要求1總概念的制備涂層工件的方法、依據(jù)權利要求28-35的應用、依據(jù)權利要求36總概念的實施該方法的裝置以及依據(jù)權利要求51-54的應用。本發(fā)明從以CVD-和PECVD方法制造薄涂層時出現(xiàn)的問題作為出發(fā)點，本發(fā)明積累的知識可具體套用到半導體層的制造上，例如太陽能電池的制造或調制摻雜場效應晶體管或異質結雙極型晶體管的制造上。半導體薄膜或者以單晶形式，即外延式淀積到同樣是單晶的襯底如硅襯底上，或者以多晶的形式或無定形的形式淀積到多晶或無定形襯...
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