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含有環(huán)氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下層膜的組合物的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):2785637

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本發(fā)明涉及新型的光刻用形成下層膜組合物、由該組合物形成的下層膜、以及使用了該下層膜的光致抗蝕劑圖形的形成方法。此外,本發(fā)明還涉及光刻用下層膜、用于形成該下層膜的形成下層膜的組合物以及該下層膜的形成方法,所述光刻用下層膜可用作在半導(dǎo)體器件制造的光蝕刻工序中減少曝光照射光從半導(dǎo)體M向涂布在半導(dǎo)體基板上的光致抗蝕劑層的反射的下層防>^射膜、用于將具有凹凸的半導(dǎo)體基板平坦化的平坦化膜、能夠在加熱烘烤等中用作防止由于產(chǎn)生于半導(dǎo)體141的物質(zhì)所導(dǎo)致的光致抗蝕劑層...
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