技術(shù)編號(hào)：2763425
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體裝置的制造過程的光刻工序中使用的、可用于在半導(dǎo)體基板和抗蝕劑之間形成的抗蝕劑下層膜的、含有聚硅烷化合物的形成抗蝕劑下層膜的組合物。 背景技術(shù)近年來，隨著半導(dǎo)體元件的高集成化發(fā)展，要求布線等的圖案細(xì)微化。為了形成細(xì) 微圖案，作為曝光用的光源使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)那樣的短波長(zhǎng)光來形成抗蝕 劑圖案。 抗蝕劑圖案的縱橫比(高度/寬度)越大，則越容易出現(xiàn)圖案坍塌。為了防止圖 案坍塌，需要使抗蝕劑膜厚變薄。但由膜厚薄的抗蝕劑形成的抗蝕...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。