技術(shù)編號(hào)：2684109
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的后述的實(shí)施方式涉及。背景技術(shù)近年來，在半導(dǎo)體裝置等微細(xì)構(gòu)造體中所形成的圖案的微細(xì)化得到發(fā)展。因此，對(duì)于在用于形成這種微細(xì)的圖案的光刻エ序中使用的光掩模，要求極其嚴(yán)格的精度。此處，提出有如下的技木將形成在光掩模的描繪區(qū)域中的檢測(cè)標(biāo)記轉(zhuǎn)印到晶片的曝光面上，通過檢測(cè)所轉(zhuǎn)印的檢測(cè)標(biāo)記來檢查光掩模自身的精度以及疊合精度?！さ?，由于檢測(cè)標(biāo)記被轉(zhuǎn)印在晶片的曝光面上，所以對(duì)于形成檢測(cè)標(biāo)記的位置產(chǎn)生較大的制約。因此，檢查計(jì)測(cè)精度變差，難以制造精度較高的光掩模。發(fā)明...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。