專利名稱：光掩模及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明的后述的實施方式涉及光掩模及其制造方法。
背景技術：
近年來，在半導體裝置等微細構造體中所形成的圖案的微細化得到發(fā)展。因此，對于在用于形成這種微細的圖案的光刻エ序中使用的光掩模，要求極其嚴格的精度。此處，提出有如下的技木將形成在光掩模的描繪區(qū)域中的檢測標記轉(zhuǎn)印到晶片的曝光面上，通過檢測所轉(zhuǎn)印的檢測標記來檢查光掩模自身的精度以及疊合精度?！さ?，由于檢測標記被轉(zhuǎn)印在晶片的曝光面上，所以對于形成檢測標記的位置產(chǎn)生較大的制約。因此，檢查計測精度變差，難以制造精度較高的光掩模。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問題而進行的，其目的在于提供一種光掩模及其制造方法，使檢查計測精度變高，容易制造精度較高的光掩模。實施方式所涉及的光掩模為，具備基板；膜部，設置在上述基板的表面上，具有比上述基板的光透射率低的光透射率；圖案，設置在上述膜部表面上，被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上；以及檢測標記，在上述膜部設置有多個，透射光的強度被抑制，以便抑制向上述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印。實施方式所涉及的光掩模的制造方法為，具有在基板的表面上形成具有比上述基板的光透射率低的光透射率的膜部的エ序；和基于描繪數(shù)據(jù)描繪轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的圖案的描繪エ序，其特征在于，在上述描繪エ序中，基于上述描繪位置的修正數(shù)據(jù)，描繪多個透射光的強度被抑制以便抑制向上述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印的檢測標記。


圖I是用于例示第I實施方式的光掩模的示意圖。圖1(a)是第I實施方式的光掩模的示意俯視圖，圖I (b)是圖I (a)的A-A向視截面的示意放大圖，圖I (C)是圖I (b)的B-B向視圖，圖I (d)是圖I (a)的C-C向視截面的示意放大圖。圖2 (a)、圖2 (b)是用于例示檢測標記的配設方式的示意俯視圖。圖3是用于例示用于使檢測標記不被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的尺寸條件等的示意圖。圖4是用于例示轉(zhuǎn)印時的光學像(aerial image)對比度變低那樣的檢測標記的示意圖。圖4(a)是用于例示進行光學像對比度的調(diào)整之前的檢測標記的示意圖，圖4(b)是用于例示曝光中的照明形狀的示意圖，圖4(c)是用于例示被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度的示意圖，圖4(d)是用于例示進行光學像對比度的調(diào)整之后的檢測標記的示意圖。
圖5(a) 圖5(d)是用于例示轉(zhuǎn)印時的光學像對比度變低那樣的檢測標記的形狀的示意圖。圖6(a) 圖6(c)是用于對第2實施方式的光掩模的制造方法進行例示的示意エ序截面圖。圖I是用于例示光掩模的制造エ序的流程圖。
具體實施例方式以下，參照附圖舉例說明實施方式。另外，在各個附圖中，對于同樣的構成要素賦予相同符號而適當省略詳細的說明。此外，作為ー個例子，將本實施方式的光掩模為半色調(diào)型相移掩模的情況作為例子進行說明。[第I實施方式]首先，舉例說明第I實施方式的光掩模。圖I是用于例示第I實施方式的光掩?！さ氖疽鈭D。另外，圖1(a)是第I實施方式的光掩模的示意俯視圖，圖1(b)是圖I (a)的A-A向視截面的示意放大圖，圖I (C)是圖I (b)的B-B向視圖，圖I (d)是圖I (a)的C-C向視截面的示意放大圖。其中，在圖1(a)中，為了避免復雜化而將后述的圖案6省略，并將檢測標記7的配設方式進行概念性地表示。如圖I (a)、圖1(b)所示，在光掩模I上設置有基板2、膜部3、遮光膜4、描繪區(qū)域5、圖案6以及檢測標記7?；?例如呈矩形的平板狀，能夠由透光性較高的材料形成。基板2例如能夠由合成石英玻璃等形成。膜部3設置在基板2的ー個表面上，能夠具有比基板2的光透射率低的光透射率。膜部3能夠成為所謂的半色調(diào)膜。膜部3例如由氟化鉻類(CrF)、硅化鑰類(MoSiON、MoSiO)、硅化鎢類(WSiO)、硅化鋯類(ZrSiO)等材料形成，能夠使深紫外光的透射率為百分之幾程度。遮光膜4被設置為在基板2的周緣區(qū)域中覆蓋膜部3。遮光膜4例如能夠由鉻(Cr)等形成。此外，在光掩模I上設置有描繪區(qū)域5。描繪區(qū)域5設置在基板2的中央側(cè)區(qū)域。描繪區(qū)域5是形成圖案6、檢測標記7的區(qū)域。圖案6能夠設置在膜部3上，包括電路圖案，向被轉(zhuǎn)印體(例如晶片等)上轉(zhuǎn)??；和輔助圖案，與電路圖案鄰接地配置，用于提高電路圖案的析像度。通過在描繪區(qū)域5中將膜部3的一部分選擇性地除去，由此形成圖案6。S卩，圖案6由開ロ部等構成，該開ロ部能夠使具有能夠進行向被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印的光強度的光透射。檢測標記7設置在膜部3上，能夠抑制透射光的強度，以便抑制其向被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印。另外，與抑制向被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印的情況相關的詳細內(nèi)容將后述。設置檢測標記7是為了檢查光掩模I自身的精度。例如，如果在光掩模I上設置有檢測標記7，則能夠使用已知的光掩模檢查裝置、尺寸計測裝置等對檢測標記7的位置、檢測標記7彼此之間的尺寸進行測定。因此，能夠容易且精密地對光掩模I的精度進行檢查計測。此外，如果設置有多個檢測標記7，則能夠?qū)Χ鄠€檢測標記7進行檢測，因此能夠通過平均化效果來抑制檢測結果的偏差。這里，一般來說，通過對檢測數(shù)據(jù)(傳感器數(shù)據(jù))與參照數(shù)據(jù)(設計數(shù)據(jù))進行比較，由此對光掩模上的電路圖案等的位置偏移缺陷(錯放)進行檢測。在該情況下，在其他的從電路圖案等離開的位置上所設置的所謂孤立孔等的位置偏移，變得難以進行檢測。但是，如果設置有多個檢測標記7，則能夠?qū)⒃O置在孤立孔等附近的檢測標記7作為基準，因此還能夠提高對于孤立孔等的位置偏移缺陷的檢測精度。

此外，在設置在基板2的ー個表面上的膜部3上存在殘余應力。因此，如果在膜部3上設置多個還作為開ロ部的檢測標記7，則能夠緩和殘余應力。結果，能夠抑制光掩模I的變形，因此能夠提高圖案6的位置精度。此外，在將光掩模I向曝光裝置進行安裝的情況下，通過設置在曝光裝置上的保持機構來機械地保持光掩模I。此時，如果在光掩模I上設置有多個檢測標記7，則能夠檢測在光掩模I被機械地保持時產(chǎn)生的變形量等。并且，例如在變形量等過大的情況下，還能夠使對于光掩模I的保持カ減弱等，而緩和在光掩模I上產(chǎn)生的變形。使用檢測標記7而檢測到的光掩模I的檢測信息(例如描繪區(qū)域5中的位置偏移信息等)，被反饋到下次制造的光掩模(例如下次制造的同一規(guī)格的光掩模、類似規(guī)格的光掩模等)的描繪位置的修正數(shù)據(jù)中。因此，能夠使光掩模的精度累積性地提高。接著，舉例說明檢測標記7的形狀及配設條件等。如果使檢測標記7成為具有邊緣(棱邊)的形狀，則能夠容易且精密地進行檢測，因此能夠使檢測標記7的檢測精度提高。此外，檢測標記7能夠具有沿第I方向設置的第I邊緣和沿與第I方向交叉的第2方向設置的第2邊緣。如果成為這樣，則能夠使第I、第2方向上的檢測標記7的檢測精度提高。作為檢測標記7的形狀，能夠成為具有含有垂直和水平的直線的部分的形狀。并且，対稱的形狀更優(yōu)選。具體而言，能夠舉出線對稱、點對稱、旋轉(zhuǎn)對稱或者上下左右対稱。例如，檢測標記7的形狀，還能夠成為具有含有任意多邊形的部分的形狀或者成為將多個任意多邊形組合了的形狀等。在此，作為ー個例子，將檢測標記7的形狀為十字形狀的情況作為例子進行說明。在檢測標記7的形狀例如為十字形狀那樣在相互正交的方向上具有邊緣的形狀的情況下，能夠使ニ維方向上的檢測標記7的檢測精度提高。圖2是用于例示檢測標記的配設方式的示意俯視圖。在圖2(a)中，作為ー個例子而描畫有作為將膜部3貫通的圖案的孔狀圖案6，在圖2(b)中，作為另ー個例子而描畫有作為將膜部3貫通的圖案的線狀圖案6a。另外，在圖2(a)和圖2(b)中，孔狀圖案6的尺寸及配置不同，但檢測標記7設置在膜部3上的部分、即未設置孔狀圖案6的部分上的情況不變。檢測標記I能夠如圖I (a)、圖2 (a)、圖2 (b)所示那樣設置為矩陣狀。例如，圖I (a)是檢測標記7的配設間距為IOmm的情況，圖2(a)是檢測標記7的配設間距為Imm的情況，圖2 (b)是檢測標記7的配設間距為100 u m的情況。但是，檢測標記7的配設方式并不限定于矩陣狀，例如也可以是曲折狀那樣的其他規(guī)則的配設方式，也可以是設置在孤立圖案周邊等任意位置上那樣的配設方式。此外，檢測標記7彼此之間的尺寸既可以一定(等間距尺寸)，也可以不同。此外，還能夠使檢測標記7彼此之間的尺寸為一定的部分和不同的部分混合存在。在該情況下，當使檢測標記7彼此之間的尺寸過大時，檢查精度有可能降低。此外，當使檢測標記7彼此之間的尺寸過小時，檢測標記7的數(shù)量變得過多而計測效率有可能降低。因此，檢測標記7彼此之間的尺寸及檢測標記7的數(shù)量，能夠根據(jù)所要求的檢查精度及檢查效率等而適當變更。
此外，還能夠使檢測標記7的配設具有分布。例如，在經(jīng)驗性地得知了尺寸精度容易惡化的部分的情況下，能夠使該部分中的檢測標記7彼此之間的尺寸變小、或者使檢測標記7的數(shù)量増加。此外，在經(jīng)驗性地得知了尺寸精度容易變得良好的部分的情況下，能夠使該部分中的檢測標記7彼此之間的尺寸變大、或者使檢測標記7的數(shù)量減少。此處，通過將膜部3的一部分選擇性地除去來形成檢測標記7，因此光會透射檢測標記7，但檢測標記7不會被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。如果使檢測標記7不被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上，則能夠使與設置檢測標記7的位置相關的限制大幅地緩和。因此，容易將檢測標記7設置在對于光掩模的檢查計測來說適當?shù)奈恢蒙?，因此能夠使光掩模I的檢查精度大幅地提聞。S卩，透射檢測標記7的透射光的強度被抑制，以便抑制其向被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印。例如，在檢測標記7的形狀為矩形形狀或者為十字形狀那樣將多個矩形形狀組合了的形狀的情況下，如果使矩形形狀的寬度尺寸(短邊長度)比規(guī)定值小，則能夠抑制檢測標記7被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。
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圖3是用于例示用于使檢測標記7不被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的尺寸條件等的示意圖。另外，圖3是例示檢測標記的形狀為十字形狀的情況的圖。在該情況下，例如如果曝光光的波長為193nm程度，則通過使構成十字形狀的矩形形狀的寬度尺寸W小于160nm，由此能夠抑制檢測標記7a被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。此外，如果使構成十字形狀的矩形形狀的寬度尺寸W為120nm以下，則能夠更可靠地抑制檢測標記7被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。此外，即使對檢測標記7的轉(zhuǎn)印進行了抑制，如果在圖案6的過于近處設置有檢測標記7，則有時圖案6的轉(zhuǎn)印精度等也會受到影響。因此，將檢測標記7設置在圖案6(在圖3中例示的情況下為孔狀圖案6)不進入以檢測標記7為中心的規(guī)定范圍內(nèi)那樣的位置上。根據(jù)本發(fā)明人所得到的見解，只要使圖案6不進入離檢測標記7為2 的范圍內(nèi)，就能夠抑制檢測標記7對圖案6的轉(zhuǎn)印精度等產(chǎn)生的影響。即，將檢測標記7設置為圖案6與檢測標記7之間的尺寸為2 m以上即可。此外，如果使檢測標記7的析像度降低，則檢測標記7更難以被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。在該情況下，如果使檢測標記7被轉(zhuǎn)印時的光學像(aerial image)對比度變低,貝丨J檢測標記7更難以被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。圖4是用于例示被轉(zhuǎn)印時的光學像(aerial image)對比度變低那樣的檢測標記的示意圖。另外，圖4(a)是用于例示進行光學像對比度的調(diào)整之前的檢測標記的示意圖，圖4(b)是用于例示曝光中的照明形狀的示意圖，圖4(c)是用于例示被轉(zhuǎn)印體上的光學像的示意圖，圖4(d)是用于例示進行光學像對比度的調(diào)整之后的檢測標記的示意圖。此處，圖4(c)是通過模擬來求出在圖4(a)中例示的檢測標記被轉(zhuǎn)印時的情況的圖。此外，以單調(diào)色的濃淡來表示光學像，并以越暗的部分越濃、越亮的部分越淡的方式進行顯示。當對于在圖4(a)中例示那樣的具有十字形狀的檢測標記17、從在圖4(b)中例示那樣的雙眼照明(偶極照明)照射曝光光時，被轉(zhuǎn)印體上的光學像成為在圖4(c)中例示的像。在該情況下，如圖4(d)所示，如果在圖4(c)中的與亮部18相對應的位置上設置膜部18a、在與暗部19相對應的位置上設置開ロ部19a (相當于第I控制部的ー個例子)，則能夠減小亮部18與暗部19之間的明亮度的差，所以能夠使光學像對比度降低。即，檢測標記17能夠具有通過使光透射而使被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低的開口部19a及膜部18a。如此，只要成為被轉(zhuǎn)印時的光學像對比度變低那樣的檢測標記17，則即使與曝光條件相關的裝置間差別以及裝置條件存在偏差等，也能夠使其更難以被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上。另夕卜，在圖4 (d)中例示的圖中設置有膜部18a和開口部19a，但以被轉(zhuǎn)印時的光學像對比度變低的方式設置膜部18a及開口部19a的至少某一個即可。此處，不同點為，在電路圖案的情況下，在能夠使析像度提高的位置上設置輔助圖案，但在檢測標記17的情況下，在能夠使析像度降低的位置上設置膜部18a及開口部19a的至少某一個。此外，還能夠成為被轉(zhuǎn)印時的光學像對比度變低那樣的檢測標記的形狀。圖5是用于例示被轉(zhuǎn)印時的光學像對比度變低那樣的檢測標記的形狀的示意圖。例如，在檢測標記7的形狀為十字形狀等的情況下，具有在被轉(zhuǎn)印體上與檢測標記7的中心附近相對應的位置的明亮度變亮的傾向。

在該情況下，例如在圖5(a)中例示的那樣，通過成為從中心隔開規(guī)定尺寸以放射狀設置細長的矩形形狀的開口部27a的檢測標記27，能夠抑制在被轉(zhuǎn)印體上與檢測標記27的中心附近相對應的位置的明亮度變得過亮。此外，例如如在圖5(b)中例示的那樣，通過成為從中心隔開規(guī)定尺寸而細長的矩形形狀的開口部37a被設置為框狀的檢測標記37，能夠抑制在被轉(zhuǎn)印體上與檢測標記37的四角相對應的位置的明亮度變得過亮。即，檢測標記能夠在規(guī)定位置上具有通過抑制光的透射而使被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低的抑制部(相當于第2控制部的一個例子)。另夕卜，上述膜部18a相當于抑制部的一個例子。此外，例如如圖5(c)所示，也可以將在圖5(a)中例示的檢測標記在一個方向上排列。如果這樣，則應作為基準的開口部27a的數(shù)量增加，能夠進一步提高位置測定的精度。此時，當將圖5(a)的檢測標記排列奇數(shù)個時，能夠以一個檢測標記為中心地配置。同樣，如圖5(d)所示，也可以將圖5(b)中例示的檢測標記在一個方向上排列。如此，也能夠進一步提高位置測定的精度。此時，當將圖5(b)的檢測標記排列偶數(shù)個時，能夠以開口部37a為中心地配置。另外，多個檢測標記27、37的排列并不限定于如圖5(c)及圖5(d)所示那樣的一維的排列，也包括二維的排列。[第2實施方式]接著，對第2實施方式的光掩模的制造方法進行例示。圖6是用于對第2實施方式的光掩模的制造方法進行例示的示意工序截面圖。首先，如圖6 (a)所示，在由石英玻璃等形成的基板2的一個表面上，形成具有比基板2的光透射率低的光透射率的膜部3。例如，能夠通過使用濺射法對氟化鉻類(CrF)、硅化鑰類(MoSi0N、MoSi0)、硅化鎢類(WSiO)、硅化鋯類(ZrSiO)等材料進行成膜，來形成膜部3。接著，在膜部3的上表面上層疊地成膜遮光膜4。例如，能夠通過使用濺射法對鉻(Cr)等進行成膜，來形成遮光膜4。如以上那樣形成光掩模坯料。接著，如圖6(b)所示，在遮光膜4的上表面上涂布抗蝕劑8。抗蝕劑8的涂布例如能夠使用旋涂法等已知的涂布方法。然后，使用電子束描繪法等，基于預先制作的描繪數(shù)據(jù)，在抗蝕劑8上描繪向被轉(zhuǎn)印體上轉(zhuǎn)印的圖案6(電路圖案、輔助圖案等)和檢測標記。此時，基于描繪數(shù)據(jù)，描繪透射光的強度被抑制為其向被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印被抑制的檢測標記。此夕卜，所描繪的檢測標記，能夠成為具有矩形形狀、矩形形狀的寬度尺寸小于160nm的標記。此外，能夠描繪為圖案6與檢測標記的中心之間的尺寸為2μπι以上。另外，所描繪的檢測標記能夠與上述的標記相同，所以省略詳細的說明。對描繪了圖案6和檢測標記的抗蝕劑8進行烘烤處理，通過進行使用了堿性顯影液的噴射顯影來形成抗蝕劑掩模。將抗蝕劑掩模用作為蝕刻掩模，使用RIE(Reactive IonEtching :反應離子蝕刻)法將遮光膜4和膜部3依次除去。接著，使用干灰法、清洗法等將抗蝕劑掩模除去。接著，如圖6(c)所示，通過使用濕式蝕刻法等將描繪區(qū)域5中的遮光膜4除去，由此制造具有圖案6和檢測標記的光掩模
Io如此制造的光掩模1，在制造半導體裝置等微細構造體時的曝光工序中使用。此 夕卜，使用檢測標記來檢測所制造的光掩模I的精度，所檢測出的光掩模I的檢測信息被反饋到下次制造的光掩模(例如下次制造的同一規(guī)格的光掩模、類似規(guī)格的光掩模等)的描繪位置的修正數(shù)據(jù)中。接著，作為一個例子，例示檢測出的光掩模的檢測信息被反饋到下次制造的光掩模的制造中的情況。圖7是用于例示光掩模的制造工序的流程圖。如圖7所示，首先，制作與第I光掩模11相關的描繪數(shù)據(jù)。另外，在所制作的描繪數(shù)據(jù)中，除了與圖案6(電路圖案、輔助圖案等)相關的數(shù)據(jù)以外，還包括與檢測標記相關的數(shù)據(jù)。接著，與上述同樣，進行用于制造第I光掩模11的描繪(步驟SI)。此時，與圖案6 一起也描繪檢測標記。接著，通過檢測標記來檢測被描繪了檢測標記的第I光掩模11的描繪位置的精度(步驟S2)。例如，能夠通過使用已知的光掩模檢查裝置、尺寸檢查裝置等對檢測標記的位置、檢測標記彼此之間的尺寸進行測定，由此來進行第I光掩模11的精度檢測。與所檢測出的第I光掩模11的精度相關的信息，向下次制造的第2光掩模Ila的描繪數(shù)據(jù)中反饋。例如，能夠基于所檢測出的第I光掩模11的精度，對描繪位置的修正數(shù)據(jù)進行修正。然后，在曝光工序中，使用第I光掩模11將圖案6轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上(步驟S3)。此時，形成在第I光掩模11上的檢測標記被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的情況被抑制。然后，基于被反饋了與第I光掩模11的精度相關的信息的描繪數(shù)據(jù)，進行用于制造第2光掩模Ila的描繪(步驟Sla)。S卩，在第2光掩模Ila的制造中，基于被修正的描繪數(shù)據(jù)來描繪圖案6。此時，與圖案6 —起也描繪檢測標記。接著，使用檢測標記來檢測第2光掩模Ila的精度(步驟S2a)。與所檢測到的第2光掩模Ila的精度相關的信息被反饋到下次制造的光掩模的描繪數(shù)據(jù)中。因此，能夠使光掩模的精度累積性地提高。然后，與上述同樣，在曝光工序中，使用第2光掩模Ila將圖案6轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上(步驟S3a)。根據(jù)以上例示的實施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠達成檢查計測精度的提高的光掩模及其制造方法。以上，例示了幾個實施方式，但這些實施方式是作為例子提示的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種方式來實施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進行各種省略、置換、變更等。這些實施方式及其變形例包含于發(fā)明的范圍及主旨中，并且包含在專利請求的范圍所記載的發(fā)明和與其等價的范圍中。此外，上述各實施方式能夠相互組合而實施。
例如，第I光掩模11等所具備的各要素的形狀、尺寸、材質(zhì)、配置、數(shù)量等 ，并不限定于例示的情況而能夠適當變更。此外，作為一個例子說明了光掩模是半色調(diào)型相移掩模的情況，但并不限定于此。例如，能夠應用于二元掩模、利文森型相移掩模、無鉻相移掩模、EUV(extreme ultra violet :極紫外)掩模等各種光掩模。
權利要求
1.一種光掩模，其特征在于，具備 基板； 膜部，設置在上述基板的表面上，具有比上述基板的光透射率低的光透射率； 圖案，設置在上述膜部表面上，被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上；以及 檢測標記，在上述膜部上設置有多個，透射光的強度被抑制，以便抑制向上述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印。
2.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述檢測標記具有沿第I方向設置的第I邊緣和沿與上述第I方向交叉的第2方向設置的第2邊緣。
3.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述檢測標記具有對稱的矩形形狀，上述矩形形狀的寬度尺寸小于160nm。
4.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 被設置為上述檢測標記與上述圖案之間的距離為2 y m以上。
5.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述多個檢測標記被一維或者二維地排列。
6.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述檢測標記還具有第I控制部，該第I控制部通過使光透射而使上述被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低。
7.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述檢測標記還具有第2控制部，該第2控制部通過抑制光的透射而使上述被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低。
8.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述檢測標記具有以下形狀中的至少某個形狀具有含有多邊形的部分的形狀；和將多個多邊形組合了的形狀。
9.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述多個檢測標記彼此之間的尺寸一定。
10.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 上述多個檢測標記被設置為矩陣狀。
11.如權利要求I所述的光掩模，其特征在于， 在被預想為尺寸精度容易惡化的部分設置的上述檢測標記的數(shù)量，比在被預想為尺寸精度容易成為良好的部分設置的上述檢測標記的數(shù)量多。
12.—種光掩模的制造方法,具有 在基板的表面上形成具有比上述基板的光透射率低的光透射率的膜部的工序；和 基于描繪數(shù)據(jù)描繪轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上的圖案的描繪工序， 其特征在于， 在上述描繪工序中，基于上述描繪位置的修正數(shù)據(jù)，描繪多個透射光的強度被抑制以便抑制向上述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印的檢測標記。
13.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 還具有使用上述多個檢測標記來檢測被描繪了上述多個檢測標記的第I光掩模的精度的工序；和 基于所檢測出的上述第I光掩模的精度對上述描繪位置的修正數(shù)據(jù)進行修正的工序， 在第2光掩模的制造中，基于所修正的上述描繪位置的修正數(shù)據(jù)，描繪上述圖案。
14.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中被描繪多個的上述檢測標記具有矩形形狀，上述矩形形狀的寬度尺寸小于160nm。
15.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，以上述圖案與上述檢測標記之間的距離為2pm以上的方式進行描繪。
16.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，以一維或二維地排列上述多個檢測標記的方式進行描繪。
17.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，描繪多個還具有第I控制部的上述檢測標記，該第I控制部通過使光透射而使上述被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低。
18.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，描繪多個還具有第2控制部的上述檢測標記，該第2控制部通過抑制光的透射而使上述被轉(zhuǎn)印體上的光學像對比度降低。
19.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，以矩陣狀描繪多個上述檢測標記。
20.如權利要求12所述的光掩模的制造方法，其特征在于， 在上述描繪工序中，使在被預想為尺寸精度容易惡化的部分描繪的上述檢測標記的數(shù)量，比在被預想為尺寸精度容易成為良好的部分描繪的上述檢測標記的數(shù)量多。
全文摘要
本發(fā)明的后述的實施方式涉及光掩模及其制造方法。光掩模具備基板；膜部，設置在上述基板的表面上，具有比上述基板的光透射率低的光透射率；圖案，設置在上述膜部表面上，被轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印體上；以及檢測標記，在上述膜部上設置有多個，透射光的強度被抑制，以便抑制向上述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印。
文檔編號G03F1/44GK102789126SQ201210053889
公開日2012年11月21日 申請日期2012年3月2日 優(yōu)先權日2011年3月2日
發(fā)明者佐藤英典, 岡本陽介, 奧田健太郎, 橋本隆希 申請人:株式會社東芝