技術(shù)編號：2568539
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及嵌入式內(nèi)存的，尤指一種具隱藏更新及雙端口能力的SRAM 兼容嵌入式DRAM裝置。背景技術(shù)對于單芯片系統(tǒng)(SoC)應用而言，其需要將許多功能區(qū)塊整合至一單一集成電路 之中。最常使用的區(qū)塊包括處理器、控制器、內(nèi)存區(qū)塊及多種不同功能的邏輯區(qū)塊，并將所 有區(qū)塊都制造在同一芯片上。該內(nèi)存區(qū)塊可以包括揮發(fā)性靜態(tài)隨機存取內(nèi)存SRAM、非揮發(fā) 性內(nèi)存及/或注冊基礎(chǔ)內(nèi)存(Register based mem0ry，RBM)。該注冊基礎(chǔ)內(nèi)存一般來說在 需要小量高速儲...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。