技術(shù)編號：2014901
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種退膜后ITO薄膜方阻值的控制方法。背景技術(shù)IT0 (Indium Tin Oxides)作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性， 可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠(yuǎn)紅外線。因此，噴涂在玻璃，塑料及電子顯示 屏上后，在增強導(dǎo)電性和透明性的同時切斷對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。在ITO的退膜工藝過程中，用目前的退膜方式，固定一個參數(shù)，退膜后方阻比退膜前要 增加50歐姆左右。由于原材料進(jìn)料有上下限標(biāo)準(zhǔn)，如果材料在上限的話，再經(jīng)過...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。