技術(shù)編號：12749568
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種二氧化硅介電薄膜制備方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，通常使用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝來形成諸如前道工序淺溝槽隔離(FEOLSTI)電介質(zhì)、層間介質(zhì)(ILD)電介質(zhì)和后道工序(BEOL)中間層電介質(zhì)的二氧化硅薄膜?；瘜W(xué)氣相沉積通過化學(xué)反應(yīng)的方式，利用加熱、等離子激勵或光輻射等各種能源，在反應(yīng)器內(nèi)使氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的化學(xué)物質(zhì)在氣相或氣固界面上經(jīng)化學(xué)反應(yīng)形成固態(tài)沉積物，并產(chǎn)生揮發(fā)性的副產(chǎn)品從界面表面離開。當前半導(dǎo)體器件尺寸不斷微縮，傳統(tǒng)的CVD過程在臺階覆蓋、...
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