技術(shù)編號(hào):12725107
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及應(yīng)力遷移測(cè)試方法。背景技術(shù)在集成電路制造過(guò)程中,金屬互連層,尤其是導(dǎo)電插塞的應(yīng)力遷移(Stress-Migration,SM)現(xiàn)象造成金屬互連結(jié)構(gòu)的開路和短路,使器件漏電流增加。隨著集成電路規(guī)模不斷擴(kuò)大,器件尺寸不斷縮小,金屬互連線的線寬不斷減小,電流密度不斷上升,更易于因應(yīng)力遷移而失效,已經(jīng)成為一個(gè)重要的可靠性問(wèn)題。應(yīng)力遷移是在一定溫度下,由于各種材料熱膨脹系數(shù)不同,所以在不同的材料間形成應(yīng)力,從而使金屬互連線或者通孔中晶粒間的小空隙向應(yīng)力...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。