技術編號：12681002
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及顯示技術領域，特別是涉及一種薄膜晶體管、陣列基板及制備方法。背景技術薄膜晶體管(Thin-filmtransistor,TFT)是場效應晶體管的一種，被廣泛應用于顯示領域，對顯示器件的工作性能具有十分重要的作用。現(xiàn)有技術中薄膜晶體管可分為底柵型薄膜晶體管(如圖1所示)和頂柵型薄膜晶體管(如圖2所示)，一般包括：柵極1、柵絕緣層2、有源層3、源極4、和漏極5。通常使用銦鎵鋅氧化物(IGZO)作為有源層，而薄膜晶體管中的絕緣層的材料通常使用氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(...
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