技術(shù)編號(hào)：12680044
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)隨著互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管制造技術(shù)的不斷發(fā)展，集成度越來越高，其柵極的線寬也越做越小，柵極下方導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度也不斷的減小。為避免或抑制導(dǎo)電溝道長(zhǎng)度縮短引起源極和漏極之間的漏電流，業(yè)界引入輕摻雜漏(LightDopedDrain，簡(jiǎn)稱LDD)注入工藝，即在進(jìn)行源極和漏極的重?fù)诫s之前，先進(jìn)行淺結(jié)注入。如圖1A-1D所示為現(xiàn)有的半導(dǎo)體芯片制造流程，包括：首先如圖1A所示，在半導(dǎo)體襯底100上形成多晶硅柵極層，刻蝕多晶硅柵極層，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。