技術(shù)編號(hào):12598932
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及晶圓級(jí)芯片尺寸封裝互連件及其制造方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件被用在諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其它電子設(shè)備等各種電子應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件典型的通過(guò)依次在半導(dǎo)體襯底上沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體襯底上的材料半導(dǎo)體層以及使用光刻技術(shù)圖案化各種材料層以在其上形成電路組件和元件制造。形成互連件以連接兩個(gè)襯底。隨著第二襯底在其接合焊盤位點(diǎn)上通過(guò)互連件合并至第一襯底,在第一襯底的接合焊盤上沉積互連件的陣列。例如,互連件可以是在焊盤上形成的焊料球并且然后回流以附接第二襯底?;ミB件可以形成為與地...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。