本發(fā)明實(shí)施例涉及晶圓級芯片尺寸封裝互連件及其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體器件被用在諸如個(gè)人電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其它電子設(shè)備等各種電子應(yīng)用中。半導(dǎo)體器件典型的通過依次在半導(dǎo)體襯底上沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層和半導(dǎo)體襯底上的材料半導(dǎo)體層以及使用光刻技術(shù)圖案化各種材料層以在其上形成電路組件和元件制造。

形成互連件以連接兩個(gè)襯底。隨著第二襯底在其接合焊盤位點(diǎn)上通過互連件合并至第一襯底，在第一襯底的接合焊盤上沉積互連件的陣列。例如，互連件可以是在焊盤上形成的焊料球并且然后回流以附接第二襯底?；ミB件可以形成為與地布局(land layout)不同的布局以允許輸出布局的定制化。這可以通過設(shè)置在電介質(zhì)中的金屬線來完成的，用一個(gè)或多個(gè)金屬層重疊在地(land)上并通過導(dǎo)電鍍層連接至地(land)上。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制備晶圓級芯片尺寸封裝互連件的方法，包括：在襯底上方形成后鈍化互連層；在所述后鈍化互連層上方形成互連件；以及在所述襯底上方釋放模塑料材料，使所述模塑料材料流動(dòng)以橫向密封所述互連件的部分。

連件的方法，包括：在襯底上方形成接觸焊盤；在所述襯底上方和所述接觸焊盤的邊緣上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有暴露所述接觸焊盤的中心區(qū)域的開口；在所述第一絕緣層上方形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上方形成后鈍化互連層，所述后鈍化互連層具有設(shè)置在所述開口中并且與所述接觸焊盤接觸的部分；在設(shè)置在所述第二絕緣層上方的所述后鈍化互連層上方形成互連件；以及使用印刷工藝或分配工藝中的至少一種在所述后鈍化互連層上方形成第三絕緣層，所述第三絕緣層橫向環(huán)繞所述互連件的接近所述襯底的部分。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括：襯底；接觸焊盤，位于所述襯底上面；至少一個(gè)絕緣層，設(shè)置在所述襯底上方并且具有暴露所述接觸焊盤的部分的開口；后鈍化互連層，設(shè)置在所述開口內(nèi)并且在所述至少一個(gè)絕緣層的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上方延伸；第一焊料凸塊和第二焊料凸塊，位于所述后鈍化互連層上面；以及模塑料層，位于所述后鈍化互連層上方并且覆蓋所述第一焊料凸塊和所述第二焊料凸塊的每個(gè)的下部，其中，所述模塑料層的環(huán)繞位于所述襯底的角部區(qū)域中的所述第一焊料凸塊的厚度小于所述模塑料層的環(huán)繞位于所述襯底的中心區(qū)域中的所述第二焊料凸塊的厚度。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述可最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增大或減小。

圖1A到圖1G示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成互連件的方法的一些步驟的工藝流程。

圖2示出了根據(jù)一些實(shí)施例的襯底和沿著襯底邊緣形成的壩環(huán)的俯視圖。

圖3示出了根據(jù)一些實(shí)施例的圖1G所示的互連件的放大圖。

圖4示出了根據(jù)一些實(shí)施例的在襯底上方形成的多個(gè)互連件的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。下面描述了組件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實(shí)例，而不旨在限制本發(fā)明。此外，在隨后的說明書中，在第二工藝之前實(shí)施第一工藝可包括在第一工藝之后立即實(shí)施第二工藝的實(shí)施例，并且還可以包括在第一工藝和第二工藝之間可實(shí)施額外工藝的實(shí)施例。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

而且，為了便于描述，在此可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對術(shù)語以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且在此使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應(yīng)的解釋。

圖1A到圖1G示出了根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成互連件的方法的一些步驟的工藝流程。圖1A示出了具有第一表面102a和與第一表面102a相對的第二表面102b的襯底102。襯底102可以是晶圓、芯片、管芯、封裝件等。作為實(shí)例，襯底102可以是晶圓級芯片尺寸包裝(WLCSP)結(jié)構(gòu)。襯底102可以包括半導(dǎo)體材料。作為實(shí)例，襯底102可以包括元素半導(dǎo)體(例如包括晶體的硅和/或鍺)，化合物半導(dǎo)體(例如包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦或銻化銦中的至少一個(gè))，合金半導(dǎo)體(例如包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、或GaInAsP)或它們的組合。

襯底102可以具有在襯底102中或襯底102上形成一個(gè)或多個(gè)器件(例如有源和/或無源器件)。為了簡單起見，圖1A中未示出一個(gè)或多個(gè)器件。在襯底102中或上形成的一個(gè)或多個(gè)器件可以電連接至設(shè)置在襯底102的第一表面102a上的一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104。只有一個(gè)接觸焊盤104作為實(shí)例示出，然而，不止一個(gè)接觸焊盤104設(shè)置在襯底102的第一表面102a上方。一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104可以包括導(dǎo)電材料。例如，一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104可以包括鋁(Al)、多晶硅、金(Au)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、銀(Ag)、鈀(Pd)、它們的組合等。

圖1B示出了在襯底102上方形成的第一絕緣層106，例如，以鈍化襯底102的第一表面102a。第一絕緣層106具有暴露一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104的至少部分的一個(gè)或多個(gè)開口108。在一個(gè)實(shí)施例中，第一絕緣層106可以是一個(gè)基本的共形層。第一絕緣層106可以通過化學(xué)汽相沉積(CVD)、物理汽相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、旋涂介電工藝、它們的組合等形成。通過蝕刻(例如使用光刻蝕刻工藝)第一絕緣層106的設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104上的部分來形成一個(gè)或多個(gè)開口108。第一絕緣層106包括介電材料。作為實(shí)例，第一絕緣層106包括氧化硅、二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、氮化鈦(TiN)、它們的組合等。

圖1C示出了在第一絕緣層106上方形成第二絕緣層110。第二絕緣層110和第一絕緣層106在組成上有所不同。作為實(shí)例，第二絕緣層110可以包括聚合物，其中的實(shí)例包括聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)、它們的組合等。在一個(gè)實(shí)施中，第二絕緣層110可以是一個(gè)基本的共形層。第二絕緣層110可以使用上述關(guān)于第一絕緣層106的相似的工藝形成。圖1C中所示實(shí)例，第二絕緣層110可以覆蓋一個(gè)或多個(gè)開口108的側(cè)壁。然而，在另外一個(gè)實(shí)例中，第二絕緣層110可以設(shè)置在(例如完全設(shè)置)一個(gè)或多個(gè)開口108外并且在面向襯底102的第一絕緣層106的表面上方。

圖1D示出了在一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104和第二絕緣層110上方形成后鈍化互連(PPI)層112。PPI層112可以包括設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)開口108內(nèi)的接觸部分112a和設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)開口108外并且外延至第二絕緣層110上的外延部分112b。PPI層112可以是諸如金屬層的導(dǎo)電層，形成為從一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104延伸到第二絕緣層110上方的區(qū)域。PPI層112可以通過金屬層的毯式沉積和隨后掩模和蝕刻金屬層來形成。PPI層112也可以通過沉積掩模以及然后在掩模開口沉積金屬以形成PPI層112。PPI層112形成具有約4μm和約10μm之間的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，PPI層112可是銅或其它諸如金、鋁、銀、鎢、鈀、或其它金屬、合金等的其他導(dǎo)電材料。PPI的112層可采用諸如分子束外延(MBE)沉積、化學(xué)汽相沉積(CVD)或等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)或通過電鍍，原子層沉積(ALD)等汽相沉積方法沉積。PPI層112的形成也可以包括形成初始阻擋層、晶種層等，以及在初始層上方形成PPI層112。在這樣一個(gè)實(shí)施例中，晶種層的形成，然后掩模的應(yīng)用，以及通過電鍍沉積PPI層 112。隨后去除掩模和任何多余的晶種層。

圖1E示出了在PPI層112上(例如PPI層112的外延部分112b上方)形成互連件114?；ミB件114可以包括諸如金、銅、鋁、鉛(Pb)、銀、鎢、錫(Sn)、焊錫膏、導(dǎo)電環(huán)氧樹脂或聚合物、它們的組合等導(dǎo)電材料。通過沉積、蒸發(fā)、電鍍、印刷、焊料轉(zhuǎn)移，它們的組合等在PPI層112上方形成互連件114。在一些實(shí)施例中，互連件114可以是焊料凸塊。

圖1F示出了第二絕緣層110上方形成壩構(gòu)件116。壩構(gòu)件116由PPI層112橫向隔開。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底102是一個(gè)晶圓，壩構(gòu)件116是沿著襯底102的邊緣形成的環(huán)的一部分。作為實(shí)例，圖2示出了沿著襯底102的邊緣形成的壩環(huán)216的俯視圖。圖1F所示的壩構(gòu)件116是作為實(shí)例的沿著圖2所示的線A-A’的壩環(huán)216的截面圖。壩構(gòu)件116可以包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、有機(jī)硅、丙烯酸酯、聚合物、環(huán)氧樹脂等，然而其它相對軟的常用有機(jī)的、介電材料也可以使用。作為實(shí)例，壩構(gòu)件116可以包括具有范圍從約10ppm/K至約250ppm/K的熱膨脹系數(shù)(CTE)、范圍從約0.05GPa至4.5Gpa楊氏模量以及范圍從約-10攝氏度至約450攝氏度的玻璃轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的材料。在一些實(shí)施例中，壩構(gòu)件116可以具有范圍從約30微米至約80微米(例如約50微米)的尺寸D1(如高)。

壩構(gòu)件116可以通過光刻形成，其中，將用于壩構(gòu)件116的材料沉積在第二絕緣層110和PPI層112上方，圖案化，然后蝕刻以形成壩構(gòu)件116。在一些實(shí)施例中，通過印刷方法形成壩構(gòu)件116。使用印刷方法，具有開口的模具可以位于第二絕緣層110和PPI層112上。隨后，用于壩構(gòu)件116的材料可以分配在模具上。在一些實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)葉片或雨刷可以越過模具將材料來回刷到模具的開口內(nèi)。在一些其它實(shí)施例中，壩構(gòu)件116可以通過磁帶錄音(taping)方法形成。在一個(gè)實(shí)施例中，具有預(yù)形成的壩構(gòu)件116的磁帶錄音可以應(yīng)用到第二絕緣層110和PPI層112。然后可以去除磁帶錄音留下壩構(gòu)件116。

圖1G示出了在PPI層112上方形成第三絕緣層118。第三絕緣層118可以包括氧化物、氮化物或諸如聚酰亞胺、聚苯并惡唑(PBO)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、環(huán)氧樹脂、液體模塑料、樹脂，可模制的聚合物等的聚合物。如圖1G所示，第三絕緣層118可以通過使用分配器122釋放模塑料材料120來形成。模塑料材料120可以采用分配和/或印刷工藝釋放。在一些實(shí)施例中，分配器122可被定位在襯底102的邊緣區(qū)域附近，邊緣區(qū)域可以是壩構(gòu)件116在襯底102上形成的區(qū)域。分配和/或印刷(例如采用噴墨)用于第三絕緣層118的模塑料材料120，模塑料材料120可以流過PPI層112并且可以至少橫向密封PPI層112。第三絕緣層118可以環(huán)繞互連件114的鄰近襯底102的部分。在一些實(shí)施例中，壩構(gòu)件116可以起到阻止第三絕緣層118的泄漏物的作用使得第三絕緣層118的模塑料材料120包含在襯底102的橫向范圍L1內(nèi)。該工藝流程后可以繼續(xù)第三絕緣層118的固化工藝。固化工藝可以包括第一階段，將第三絕緣層118從約室溫加熱至大于約100攝氏度(例如，從約100攝氏度至約140攝氏度的范圍)的第一溫度。第一個(gè)溫度可以保持至少約20分鐘的持續(xù)時(shí)間。在此之后，固化工藝的第二階段可以包括將第三絕緣層118從第一溫度加熱至從約150攝氏度至約400攝氏度的第二溫度，第二溫度隨后可以保持至少20分鐘持續(xù)時(shí)間。

第三絕緣層118可以包括具有的CTE大于約3ppm/K，例如，從約10ppm/K至約250ppm/K范圍的材料。第三絕緣層118可以包括諸如二氧化硅填料、玻璃填料或類似填料的填料顆粒。每個(gè)填料顆粒的尺寸(例如，寬度)可以小于約5微米。按重量計(jì)，填料顆粒組成小于約10％的第三絕緣層118。由于第三絕緣層118的CTE、第三絕緣層118中的填料顆粒的尺寸和/或第三絕緣層118中的填料顆粒的重量的比例，模塑料材料120可以是致密的并且具有高粘度，因此允許更好地控制第三絕緣層118的厚度。另外，由于第三絕緣層118的較大密度(例如，相比于第一絕緣層和第二絕緣層106、110)，可以減小第三絕緣層118的厚度，同時(shí)仍有對下面的導(dǎo)電和/或不導(dǎo)電層的必要的機(jī)械保護(hù)。甚至還，可以更好的控制第三絕緣層118的厚度，反過來，導(dǎo)致第三絕緣層118沿襯底102的橫向范圍L1的厚度基本均勻。

圖1A至1G所示的工藝流程利用印刷和/或配送工藝以形成第三絕緣層118。印刷和/或配送工藝成為可能是由于，至少部分，第三絕緣層118的較大的密度(例如相比于第一絕緣層和第二絕緣層106、110)。此外，印刷和/或配送工藝可以使用簡單的步驟和簡單的設(shè)備實(shí)施，例如，與用于形成第三絕緣層118的諸如壓縮成型工藝以及隨后的等離子體清潔工藝的其它技術(shù)相比。這可以顯著的降低成本。例如，印刷和/或配送工藝可以通過噴墨印刷機(jī)(其比應(yīng)用在壓縮成型工藝中的成型工具更便宜)完成。此外，使用印刷和/或配送工藝以形成第三絕緣層118可導(dǎo)致高的制造生產(chǎn)量，例如與用于形成第三絕緣層118的諸如壓縮成型工藝以及隨后的等離子體清潔工藝的其它技術(shù)相比。甚至進(jìn)一步，如圖1A至1G所示，沒有實(shí)施蝕刻工藝與第三絕緣層118的形成有關(guān)。因此，基本上無殘留材料(如有機(jī)和/或無機(jī)物)形成在互連件114的暴露的表面，從而導(dǎo)致圖1A到1G所示的工藝流程生產(chǎn)的器件的可靠性更高。

圖3示出了根據(jù)一些實(shí)施例的圖1G所示的互連件的放大圖。本質(zhì)上，圖3示出了第三絕緣層118與PPI層112重疊并且覆蓋互連件114的下部。第三絕緣層118的頂表面有凹面區(qū)域和平坦的表面區(qū)域，圖3所示，凹面區(qū)域定位在焊料凸塊和平坦的表面區(qū)域之間，凹面區(qū)域從互連件114向外延伸。

圖3所示，第三絕緣層118可以橫向環(huán)繞部分互連件114(例如：互連件114的下部)。第三絕緣層118可以在互連件114的腰部W處物理連接互連件114。圖3所示，第三絕緣層118可以具有在互連件114周圍的曲面，例如，由于第三絕緣層118爬至互連件114的腰部W。作為實(shí)例，第三絕緣層118可以具有由互連件114向外延伸的凹面。由于第三絕緣層118的高密度和高粘度，因?yàn)榈谌^緣層118并未爬過互連件114的大體部分，所以第三絕緣層118的曲面顯示出了陡峭的下降。作為實(shí)例，平行于襯底102的第一表面102a的軸和第三絕緣層118的腰部W的切線之間的角φ小于約100度。圖3也示出了具有總高度H1的互連件114，其中暴露了高度H2。在一個(gè)實(shí)施例中，第三絕緣層118并未爬過互連件114的大體部分，高度H2至少為互連件114的總高度H1的30％(例如大于約50％)。結(jié)果，互連件114的焊點(diǎn)高度(stand-off height)增加，例如與用于形成第三絕緣層118的諸如壓縮成型工藝以及隨后的等離子體清潔工藝的其它技術(shù)相比。在一些實(shí)施例中，的在PPI層112上方的第三絕緣層118的厚度H3可以在從約0.1微米到約10微米的范圍，而互連件114的總高度H1可以在從約100微米到約250微米的范圍。

圖4示出了在襯底102上形成的多個(gè)互連件414-1、414-2的俯視圖。圖4所示的實(shí)例中，多個(gè)互連件414-1、414-2可以布置為互連件陣列。為了簡便起見，諸如一個(gè)或多個(gè)接觸焊盤104、第一絕緣層106、第二絕緣層110和PPI的層112的其他特征未在圖4示出。多個(gè)互連件414-1、414-2可以包括設(shè)置在襯底102的角部區(qū)域的角部互連件414-1。多個(gè)互連件414-1、414-2還可以包括設(shè)置在襯底102的中心區(qū)域的中心互連件414-2。如上所述，圖1A到圖1G示出的工藝流程可導(dǎo)致互連件114的焊點(diǎn)高度的增加。同樣，圖1A到圖1G示出的工藝流程可用于在每個(gè)多個(gè)互連件414-1、414-2周圍形成第三絕緣層118。然而，在其它實(shí)施例中，上述分配和/或印刷工藝可用于在多個(gè)互連件414-1、414-2中的所選的一個(gè)周圍形成第三絕緣層118，而不是在多個(gè)互連件414-1、414-2的每個(gè)周圍形成第三絕緣層118。作為實(shí)例，相比于襯底102的中心區(qū)域，期望減少第三絕緣層118的位于襯底102的角部區(qū)域處的厚度以增加互連件的在襯底102角部區(qū)域處的焊點(diǎn)高度使得板上的可靠性提高。作為實(shí)例，期望位于襯底102中心區(qū)域(例如，位于中心互連件414-2周圍)的第三絕緣層118至少比位于襯底102角部區(qū)域(例如，位于角部互連件414-1周圍)的第三絕緣層118厚5微米。第三絕緣層118的位于襯底102的不同區(qū)域處的厚度差異可以通過使用圖1A到圖1G所示的工藝流程以選擇性地分配和/或印刷角部互連件414-1周圍的第三絕緣層118以阻止第三絕緣層爬過角部互連件414-1的大體部分來實(shí)現(xiàn)。如上所述，反過來，這可以增加互連件焊點(diǎn)高度和增加板上的可靠性。應(yīng)當(dāng)注意，然而，絕緣層118的位于相鄰(例如直接相鄰)中心互連件414-2之間的厚度基本上等于絕緣層118的位于中心互連件414-2和襯底102的邊緣之間的厚度。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種形成晶圓級芯片尺寸封裝件互連件的方法可以包括：在襯底上方形成后鈍化互連件(PPI)層；在PPI層上方形成互連件；以及在襯底上方釋放模塑料材料，模塑料材料流動(dòng)以橫向密封部分互連件。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種形成晶圓級芯片尺寸封裝互連件的方法可以包括：在襯底上方形成接觸焊盤；在襯底上方和接觸焊盤的邊緣上方形成第一絕緣層，第一絕緣層具有暴露接觸焊盤的中心區(qū)域的開口；在第一絕緣層上方形成第二絕緣層；在第二絕緣層上方形成后鈍化互連(PPI)層，PPI具有設(shè)置在開口中且與接觸焊盤接觸的部分；在設(shè)置在第二絕緣層上方的PPI層上形成互連件；以及使用印刷或分配工藝中的至少一個(gè)在PPI層上方形成第三絕緣層，第三絕緣層橫向環(huán)繞互連件的接近襯底的部分。

根據(jù)一些實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝件包括：襯底；在襯底上面的接觸焊盤；設(shè)置在襯底上方并且具有暴露部分接觸焊盤的開口的至少一個(gè)絕緣層；后鈍化互連(PPI)層，設(shè)置在開口中并且在至少一個(gè)絕緣層的遠(yuǎn)離襯底的表面上方延伸；覆蓋PPI層的焊料凸塊的陣列；以及模塑料層，位于PPI層上面且覆蓋焊料凸塊的陣列的每個(gè)焊料凸塊的下部，其中，模塑料的環(huán)繞位于襯底角部區(qū)域處的第一焊料凸塊的厚度小于模塑料的環(huán)繞位于襯底中心區(qū)域處的第二焊料凸塊的厚度。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制備晶圓級芯片尺寸封裝互連件的方法，包括：在襯底上方形成后鈍化互連層；在所述后鈍化互連層上方形成互連件；以及在所述襯底上方釋放模塑料材料，使所述模塑料材料流動(dòng)以橫向密封所述互連件的部分。

在上述方法中，釋放所述模塑料材料包括分配工藝或印刷工藝中的至少一種。

在上述方法中，形成所述后鈍化互連層包括分子束外延、化學(xué)汽相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積、電鍍或原子層沉積中的至少一種。

在上述方法中，還包括固化所述模塑料材料。

在上述方法中，所述模塑料材料包括聚苯并惡唑、苯并環(huán)丁烯、環(huán)氧樹脂，液體模塑料、樹脂或可模塑聚合物中的至少一種。

在上述方法中，所述模塑料材料包括填料顆粒。

在上述方法中，所述填料顆粒的尺寸小于5微米。

在上述方法中，按重量計(jì)，所述填料顆粒組成小于10％的所述模塑料材料。

在上述方法中，所述互連件的小于50％被所述模塑料材料橫向地密封。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，還提供了一種制備晶圓級芯片尺寸封裝互連件的方法，包括：在襯底上方形成接觸焊盤；在所述襯底上方和所述接觸焊盤的邊緣上方形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有暴露所述接觸焊盤的中心區(qū)域的開口；在所述第一絕緣層上方形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上方形成后鈍化互連層，所述后鈍化互連層具有設(shè)置在所述開口中并且與所述接觸焊盤接觸的部分；在設(shè)置在所述第二絕緣層上方的所述后鈍化互連層上方形成互連件；以及使用印刷工藝或分配工藝中的至少一種在所述后鈍化互連層上方形成第三絕緣層，所述第三絕緣層橫向環(huán)繞所述互連件的接近所述襯底的部分。

在上述方法中，還包括：在形成所述第三絕緣層前，形成與述后鈍化互連層橫向分開的壩構(gòu)件。

在上述方法中，形成所述壩構(gòu)件包括光刻、磁帶錄音或印刷中的至少一種。

在上述方法中，在所述后鈍化互連層上方形成所述互連件包括沉積、蒸發(fā)、電鍍、印刷或焊料轉(zhuǎn)移中的至少一種。

在上述方法中，位于所述后鈍化互連層上方的所述第三絕緣層的厚度在從0.1微米到10微米的范圍。

在上述方法中，所述第三絕緣層在所述互連件的腰部處接觸所述互連件，并且其中，在所述互連件的所述腰部的切線與平行于所述襯底的主表面的軸之間所張的角度小于100度。

根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，還提供了一種半導(dǎo)體封裝件，包括：襯底；接觸焊盤，位于所述襯底上面；至少一個(gè)絕緣層，設(shè)置在所述襯底上方并且具有暴露所述接觸焊盤的部分的開口；后鈍化互連層，設(shè)置在所述開口內(nèi)并且在所述至少一個(gè)絕緣層的遠(yuǎn)離所述襯底的表面上方延伸；第一焊料凸塊和第二焊料凸塊，位于所述后鈍化互連層上面；以及模塑料層，位于所述后鈍化互連層上方并且覆蓋所述第一焊料凸塊和所述第二焊料凸塊的每個(gè)的下部，其中，所述模塑料層的環(huán)繞位于所述襯底的角部區(qū)域中的所述第一焊料凸塊的厚度小于所述模塑料層的環(huán)繞位于所述襯底的中心區(qū)域中的所述第二焊料凸塊的厚度。

在上述半導(dǎo)體封裝件中，所述模塑料層的環(huán)繞所述第二焊料凸塊的厚度比所述模塑料層的環(huán)繞所述第一焊料凸塊的厚度大至少5微米。

在上述半導(dǎo)體封裝件中，所述模塑料層的在所述第二焊料凸塊和所述襯底的邊緣之間的厚度等于所述模塑料層的在位于所述襯底的所述中心區(qū)域中的所述第二焊料凸塊和第三焊料凸塊之間的厚度相同。

在上述半導(dǎo)體封裝件中，所述第一焊料凸塊的小于50％被所述模塑料層覆蓋。

在上述半導(dǎo)體封裝件中，所述模塑料層具有大于3ppm/K的熱膨脹系數(shù)。

上面概述了若干實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)施與在此所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等同構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此他們可以做出多種變化、替換以及改變。