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技術(shù)編號(hào)：12369669

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本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路的技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種PIP電容器的制作方法、PIP電容器及EEPROM存儲(chǔ)單元。背景技術(shù)PIP(多晶硅/絕緣層/多晶硅)電容器的上下電極均為多晶硅，且PIP電容器的電極可以與MOS器件中的多晶硅柵極一起形成，從而使得PIP電容器的制作能夠與MOS器件的制作相兼容，進(jìn)而降低了PIP電容器的制造成本。基于上述原因，PIP電容器被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的制作。如圖1所示，現(xiàn)有PIP電容器包括依次設(shè)置于半導(dǎo)體基體10′上的隧穿氧化物層20′和第一多晶硅層30′，覆蓋第一多...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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