技術(shù)編號：12066148
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法，更詳細(xì)地，涉及不僅可以提高電極與超小型發(fā)光二極管元件之間的導(dǎo)電性，也可以降低接觸電阻的包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法。背景技術(shù)隨著1992年日本日亞化學(xué)工業(yè)的中村等人適用低溫的氮化鎵(GaN)化合物緩沖層來成功融合出優(yōu)質(zhì)的單晶體氮化鎵氮化物半導(dǎo)體，導(dǎo)致發(fā)光二極管的開發(fā)變得活躍。發(fā)光二極管作為利用化合物半導(dǎo)體的特性來使多個載體為電子的n型半導(dǎo)體結(jié)晶和多個載體為空穴的p型半導(dǎo)體結(jié)晶相互接合的半導(dǎo)體，是將...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。