本發(fā)明涉及一種包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法，更詳細(xì)地，涉及不僅可以提高電極與超小型發(fā)光二極管元件之間的導(dǎo)電性，也可以降低接觸電阻的包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法。
背景技術(shù)：
：隨著1992年日本日亞化學(xué)工業(yè)的中村等人適用低溫的氮化鎵(GaN)化合物緩沖層來成功融合出優(yōu)質(zhì)的單晶體氮化鎵氮化物半導(dǎo)體，導(dǎo)致發(fā)光二極管的開發(fā)變得活躍。發(fā)光二極管作為利用化合物半導(dǎo)體的特性來使多個(gè)載體為電子的n型半導(dǎo)體結(jié)晶和多個(gè)載體為空穴的p型半導(dǎo)體結(jié)晶相互接合的半導(dǎo)體，是將電信號變換為具有所需區(qū)域的波段的光來發(fā)光的半導(dǎo)體元件。由于這種發(fā)光二極管半導(dǎo)體的光變換效率高，因此能量消耗非常少，而且所述發(fā)光二極管半導(dǎo)體還具有半永久性壽命并且環(huán)保，從而作為綠色材料來被譽(yù)為光的革命。近年來，隨著化合物半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，開發(fā)出高亮度紅色、橙色、綠色、藍(lán)色及白色發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管應(yīng)用于信號燈、手機(jī)、汽車前照燈、室外電子屏幕、液晶顯示器背光模組(LCDBLU，LiquidCrystalDisplaybacklightunit)，還應(yīng)用于室內(nèi)外照明等多個(gè)領(lǐng)域，而且在國內(nèi)外持續(xù)進(jìn)行對所述發(fā)光二極管的研究。尤其，具有較寬帶隙的氮化鎵類化合物半導(dǎo)體為用于制造放射綠色、藍(lán)色還有紫外線區(qū)域的光的發(fā)光二極管半導(dǎo)體的物質(zhì)，可利用藍(lán)色發(fā)光二極管元件制造白色發(fā)光二極管元件，從而正在對此進(jìn)行很多研究。并且，由于發(fā)光二極管半導(dǎo)體用于多種領(lǐng)域，對發(fā)光二極管半導(dǎo)體的研究也日益增加，使得高功率的發(fā)光二極管半導(dǎo)體成為一種需求，提高發(fā)光二極管半導(dǎo)體的效率也變得極為重要。但是，制造高效率高功率的藍(lán)色發(fā)光二極管元件存在諸多困難。在提高藍(lán)色發(fā)光二極管元件的效率方面，難點(diǎn)緣于制造過程中的困難和所制造的藍(lán)色發(fā)光二極管的氮化鎵類半導(dǎo)體和大氣之間的高折射率。首先，制造過程中的困難在于難以準(zhǔn)備具有與氮化鎵類半導(dǎo)體相同的晶格常數(shù)的基板。當(dāng)形成于基板上的氮化鎵外延層晶格常數(shù)和基板的晶格常數(shù)大為不同的情況下，氮化鎵外延層會(huì)產(chǎn)生很多缺陷，從而發(fā)生導(dǎo)致發(fā)光二極管半導(dǎo)體的效率和性能下降的問題。其次，由于所制造的藍(lán)色發(fā)光二極管的氮化鎵類半導(dǎo)體和大氣之間的高折射率，導(dǎo)致從發(fā)光二極管的活性層區(qū)域放射的光無法向外部射出，而是在發(fā)光二極管的內(nèi)部全反射。全反射的光在發(fā)光二極管的內(nèi)部再次被吸收，從而存在最終導(dǎo)致發(fā)光二極管的效率下降的問題。將這種效率稱為發(fā)光二極管元件的光提取效率，而為了解決上述問題，正進(jìn)行很多研究。另一方面，為了將發(fā)光二極管元件用于照明、顯示器等，需要可以向所述發(fā)光二極管元件和所述元件施加電源的電極，并且，就與使用目的、減少電極所占的空間或制造方法有關(guān)地對發(fā)光二極管元件和互不相同的兩個(gè)電極的布置進(jìn)行了多種研究。對發(fā)光二極管元件和電極的布置的研究可以分為使發(fā)光二極管元件在電極生長和在使發(fā)光二極管元件獨(dú)立生長后布置于電極。首先，對使發(fā)光二極管元件在電極生長的研究具有自下而上(bottom-up)方式，即，通過在基板上放置薄膜型下電極，并在下電極上依次層疊n型半導(dǎo)體層、活性層、p型半導(dǎo)體層、上電極后進(jìn)行蝕刻的方法，或者通過在層疊上電極之前蝕刻已層疊的各個(gè)層后層疊上電極的方法等來在一系列的制造過程中同時(shí)生成及布置發(fā)光二極管元件和電極。接著，在使發(fā)光二極管元件獨(dú)立生長后布置于電極的方法為在通過單獨(dú)的工序使發(fā)光二極管元件獨(dú)立生長制造之后，將各個(gè)發(fā)光二極管元件一一布置于圖案化的電極的方法。上述前一方法存在如下問題，即，從結(jié)晶學(xué)角度出發(fā)，很難實(shí)現(xiàn)高結(jié)晶性/高效率的薄膜及使發(fā)光二極管元件生長，而后一方法存在由于光提取效率降低，因而有可能導(dǎo)致發(fā)光效率下降的問題。并且，在后一方法中，存在如下問題：即，若發(fā)光二極管元件為普通的發(fā)光二極管元件，則可以通過使三維的發(fā)光二極管元件直立來使發(fā)光二極管元件與電極相連接，但若發(fā)光二極管元件為納米單位的超小型元件，則很難使所述超小型元件直立于電極。在由本申請的發(fā)明人申請的韓國專利申請第2011-0040174號中，為了使納米單位的超小型發(fā)光二極管元件以三維的方式直立于電極來使所述超小型發(fā)光二極管元件與電極相連接，還在超小型發(fā)光二極管元件設(shè)置有使超小型發(fā)光二極管元件容易與電極相結(jié)合的結(jié)合連接器，但當(dāng)將所述結(jié)合連接器實(shí)際實(shí)現(xiàn)于超小型電極時(shí)，存在很難使超小型發(fā)光二極管元件以三維的方式直立于電極來使所述超小型發(fā)光二極管和電極相結(jié)合的問題。此外，獨(dú)立制造的發(fā)光二極管元件需要一一布置于圖案化的電極，但在發(fā)光二極管元件為大小為納米單位的超小型發(fā)光二極管元件的情況下，存在如下問題，即，很難將發(fā)光二極管元件布置于超小型的互不相同的兩個(gè)電極的目的范圍內(nèi)，而且即使將發(fā)光二極管元件布置于超小型的互不相同的兩個(gè)電極，但在電極和超小型發(fā)光二極管的電連通中頻頻發(fā)生由短路引起的不良現(xiàn)象，從而無法實(shí)現(xiàn)所需的電極組件。韓國專利申請第2010-0042321號公開了用于發(fā)光二極管模塊的尋址電極線的結(jié)構(gòu)及制造方法。在所述申請中，在基板上放置薄膜型下電極，并在下電極上依次層疊絕緣層、上電極后通過蝕刻來制造電極線，然后在上電極上安裝發(fā)光二極管芯。但是，若安裝的發(fā)光二極管芯為納米單位的大小，則存在如下問題，即，很難使三維的發(fā)光二極管芯準(zhǔn)確地直立于上電極，即使在安裝后也很難連接安裝的納米單位的發(fā)光二極管芯和下電極。并且，當(dāng)將獨(dú)立生長的發(fā)光二極管元件布置在電極并向電極施加電源時(shí)，在發(fā)光二極管元件與電極之間發(fā)生接觸電阻，從而導(dǎo)致光提取效率下降。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是為解決如上所述的問題而提出的，其目的在于提供一種包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法，根據(jù)該方法，為了改善發(fā)光二極管元件與電極之間的接觸，通過將導(dǎo)電性材料蒸鍍于發(fā)光二極管元件與電極接觸的部分來不僅可以提高在發(fā)光二極管元件與電極之間的導(dǎo)電性，還可以降低接觸電阻。用于解決問題的方案為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法，所述包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法包括：步驟(1)，通過使超小型發(fā)光二極管元件在包括以相互隔開的方式形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線上自動(dòng)整列來制成超小型發(fā)光二極管電極組件；及步驟(2)，將所述超小型發(fā)光二極管電極組件浸漬于電解鍍金液中，向所述超小型發(fā)光二極管電極組件的第一電極和第二電極中的任一個(gè)電極施加電源，以在1分鐘至300分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)進(jìn)行電鍍工序，從而將金屬電阻層形成于所述超小型發(fā)光二極管電極組件。根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法還可包括：步驟(3)，在所述步驟(2)中，通過向未施加電源的另一電極施加電源來在滿足下述數(shù)學(xué)式1的鍍金時(shí)間(T2)內(nèi)進(jìn)行電鍍工序，從而將金屬電阻層形成于超小型發(fā)光二極管電極組件：[數(shù)學(xué)式1]1分鐘≦鍍金時(shí)間(T2)≦T1其中，T1是指步驟(2)的電鍍工序的鍍金時(shí)間。根據(jù)本發(fā)明的再一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(2)中所施加的電源可以是電壓為-0.2至-1.0V的脈沖波電源，且脈沖波的電源可以被施加0.05至30秒，并靜止0.05至30秒。根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(3)中所施加的電源可以是電壓為-0.2至-1.0V的脈沖波電源，且脈沖波的電源可以被施加0.05至30秒，并靜止0.05至30秒。根據(jù)本發(fā)明的還有一優(yōu)選實(shí)施例，所述電解鍍金液可以包含包括金前體、銀前體、銅前體及鉑前體中的至少一種的金屬前體。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述電解鍍金液可以以0.001至100mM的濃度包含所述金屬前體。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述步驟(1)可以包括：步驟1-1)，向形成有包括相互隔開的第一電極和第二電極的電極線的底座基板的一表面投入分散溶液，所述分散溶液包括分散溶劑和超小型發(fā)光二極管元件；及步驟1-2)，通過向所述電極線施加電源來使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列，以制成超小型發(fā)光二極管電極組件，其中，可以在600℃～1000℃下對所制成的超小型發(fā)光二極管電極組件進(jìn)行熱處理0.5分鐘～10分鐘。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(1)中的第一電極和第二電極可以通過螺旋(spiral)布置方式和相互交叉(interdigitated)布置方式中的任一個(gè)布置方式來相互隔開。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述超小型發(fā)光二極管元件可以包括：第一電極層；形成于所述第一電極層上的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；形成于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的活性層；形成于所述活性層上的第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；及形成于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的第二電極層，并且，所述超小型發(fā)光二極管元件還可包括絕緣覆膜，所述絕緣覆膜涂敷于所述超小型發(fā)光二極管元件的外部面。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述絕緣覆膜可以被涂敷以便覆蓋所述活性層的整個(gè)外部面。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述超小型發(fā)光二極管元件的第一電極層和第二電極層可以未涂敷有所述絕緣覆膜。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(2)中的鍍金時(shí)間(T1)可以為10分鐘～55分鐘。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，所述第一電極的寬度(X)、第二電極的寬度(Y)、第一電極和與上述第一電極相鄰的第二電極之間的間距(Z)及超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)可以滿足下述關(guān)系式1：[關(guān)系式1]0.5Z≦H<X+Y+2Z，其中，100nm<X≦10μm，100nm<Y≦10μm，100nm<Z≦10μm。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(1)中的底座基板上還可包括絕緣隔板，所述絕緣隔板包圍安裝有多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例，在所述步驟(3)之后，可以在600℃～1000℃下對所制成的超小型發(fā)光二極管電極組件再次進(jìn)行熱處理0.5分鐘～10分鐘。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法通過將導(dǎo)電性材料蒸鍍于發(fā)光二極管元件與電極接觸的部分來不僅可以改善發(fā)光二極管元件與電極之間的接觸，以提高在發(fā)光二極管元件與電極之間的導(dǎo)電性，也可以降低接觸電阻，從而能夠進(jìn)一步提高發(fā)光二極管元件的光提取效率。附圖說明圖1為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的電極線的制造工序的立體圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的包括形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線的立體圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的包括形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線的俯視圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的包括形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線的立體圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的超小型發(fā)光二極管元件的立體圖。圖6為現(xiàn)有超小型發(fā)光二極管電極組件的垂直剖視圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的與第一電極和第二電極連通的超小型發(fā)光二極管元件的俯視圖及垂直剖視圖。圖8為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的在底座基板上形成絕緣隔板的制造工序的立體圖。圖9為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造工序的立體圖。圖10為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的為形成金屬電阻層而進(jìn)行的電鍍工序圖。圖11為不進(jìn)行快速熱處理而根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例形成金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的掃描式電子顯微鏡(SEM，scanningelectronmicroscope)照片。圖12為在進(jìn)行快速熱處理之后根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例形成金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的掃描式電子顯微鏡照片。圖13和圖14為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的形成于自動(dòng)整列有超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面上的金屬電阻層的附圖。圖15為根據(jù)本發(fā)明的比較例1的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片。圖16為根據(jù)本發(fā)明的比較例2的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片。圖17為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片。圖18為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片。圖19和圖20分別為在對驅(qū)動(dòng)根據(jù)比較例3和實(shí)施例3的超小型發(fā)光二極管電極組件的交流電壓進(jìn)行變更的情況下測定的電致發(fā)光(electroluminescence，EL)強(qiáng)度的圖表。圖21為向比較例3的超小型發(fā)光二極管電極組件施加交流電壓時(shí)發(fā)光的超小型發(fā)光二極管電極組件的照片，圖22為向?qū)嵤├?的超小型發(fā)光二極管電極組件施加交流電壓時(shí)發(fā)光的超小型發(fā)光二極管電極組件的照片。具體實(shí)施方式在對根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例進(jìn)行說明的過程中，當(dāng)記載各層、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)物形成于基板、各層、區(qū)域、圖案的“上方(on)”、“上部”、“上”、“下方(under)”、“下部”、“下”的情況下，“上方(on)”、“上部”、“上”、“下方(under)”、“下部”、“下”均包含“直接(directly)”、“間接(indirectly)”的含義。并且，在對根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例進(jìn)行說明的過程中，“第一電極”和“第二電極”包括可實(shí)際安裝超小型發(fā)光二極管的電極區(qū)域或者與所述區(qū)域一同來可根據(jù)在底座基板上布置電極的方法還可包括的電極區(qū)域。另外，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的超小型發(fā)光二極管電極組件意味著可實(shí)際安裝超小型發(fā)光二極管的電極區(qū)域和安裝于該電極區(qū)域的超小型發(fā)光二極管元件。而且，在對根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例進(jìn)行說明的過程中，單位電極是指可通過排列超小型發(fā)光二極管元件來獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)電極所被布置的排列區(qū)域，而單位電極面積是指所述排列區(qū)域的面積。下面，參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。如上所述，在發(fā)光二極管電極組件的制造方法之一的在使發(fā)光二極管元件另外獨(dú)立生長后布置于電極的方法需要將通過單獨(dú)的工序制成的各個(gè)發(fā)光二極管元件一一布置于圖案化的電極。然而，在將獨(dú)立生長的發(fā)光二極管元件布置于電極并向電極施加電源時(shí)，在發(fā)光二極管元件與電極之間產(chǎn)生接觸電阻，從而導(dǎo)致光提取效率下降，發(fā)光效率降低。對此，在本發(fā)明中，通過提供一種包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法來探索出上述問題的解決方法，所述包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法包括：步驟(1)，通過使超小型發(fā)光二極管元件在包括以相互隔開的方式形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線自動(dòng)整列來制成超小型發(fā)光二極管電極組件；及步驟(2)，將所述超小型發(fā)光二極管電極組件浸漬于電解鍍金液中，向所述超小型發(fā)光二極管電極組件的第一電極和第二電極中的任一個(gè)電極施加電源，以在1分鐘至300分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)進(jìn)行電鍍工序，從而將金屬電阻層形成于所述超小型發(fā)光二極管電極組件。由此，通過將導(dǎo)電性材料蒸鍍于發(fā)光二極管元件與電極接觸的部分來不僅可以提高發(fā)光二極管元件與電極之間的導(dǎo)電性，也可以降低電阻值，從而能夠大大提高發(fā)光二極管元件的光提取效率。首先，作為步驟(1)，進(jìn)行通過使超小型發(fā)光二極管元件在包括以相互隔開的方式形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線自動(dòng)整列來制成超小型發(fā)光二極管電極組件的步驟。優(yōu)選地，所述步驟(1)可以包括：步驟1-1)，向包括以相互隔開的方式形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線投入分散溶液，所述分散溶液包括分散溶劑和超小型發(fā)光二極管元件；及步驟1-2)，通過向所述電極線施加電源來使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列，以制成第一電極和第二電極相連接的超小型發(fā)光二極管電極組件。首先，在底座基板上形成電極線的方法進(jìn)行說明。具體地，圖1為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的形成于底座基板上的電極線的制造工序的立體圖。然而，超小型發(fā)光二極管元件用電極線的制造工序并不限于后述的制造工序。首先，圖1的(a)部分示出作為形成電極線的底座基板100，優(yōu)選地，所述底座基板100可以為玻璃基板、水晶基板、藍(lán)寶石基板、塑料基板及可彎曲的柔韌的聚合物膜中的任一種。更加優(yōu)選地，所述底座基板100可以為透明基板。但所述基板并不限于所述種類，只要是可形成普通電極的底座基板，則均可使用。所述底座基板100的面積并不受限制，所述底座基板100的面積可以通過考慮形成于底座基板100上的第一電極的面積、第二電極的面積、與所述第一電極及第二電極連通的超小型發(fā)光二極管元件的尺寸以及與所述第一電極及第二電極連通的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量來改變。優(yōu)選地，所述底座基板100的厚度可以為100μm至1mm，但并不限于此。然后，如圖1的(b)部分所示，可以在底座基板100上涂敷光致抗蝕劑(PR，photoresist)來形成光致抗蝕劑層101。所述光致抗蝕劑可以為在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中通常所使用的光致抗蝕劑。通過在所述底座基板100上涂敷所述光致抗蝕劑來形成光致抗蝕劑層101的方法可以為旋涂、噴涂及絲網(wǎng)印刷中的任一種，優(yōu)選地，所述涂敷方法可以為旋涂，但并不限于此，具體涂敷方法可以基于在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中公知的方法。所述光致抗蝕劑層101的厚度可以為0.1至10μm。然而，光致抗蝕劑層101的厚度可考慮以后將在底座基板100蒸鍍的電極的厚度來改變。如上所述，如圖1的(c)部分所示，在底座基板100上形成光致抗蝕劑層101層之后，可以將畫有與具有在相同的平面以相互交替布置的方式隔開的第一電極和第二電極的電極線(參照圖3)相對應(yīng)的圖案102a、102b的掩膜102放置于光致抗蝕劑層101，并在所述掩膜102的上部照射紫外線。然后，可以進(jìn)行通過將曝光的光致抗蝕劑層101浸漬于普通光致抗蝕劑溶液來進(jìn)行去除的步驟。由此，如圖1的(d)部分所示，可以去除將形成電極線的曝光的光致抗蝕劑層部分。在與所述電極線相對應(yīng)的圖案中，與第一電極線相對應(yīng)的圖案102a的寬度可以為100nm至50μm，與第二電極線相對應(yīng)的圖案102b的寬度可以為100nm至50μm，但并不限于此。然后，如圖1的(e)部分所示，可以向以電極線掩膜的形狀被去除光致抗蝕劑層的部分蒸鍍電極形成物質(zhì)103。所述電極形成物質(zhì)103是用于形成包括第一電極和與所述第一電極隔開形成的第二電極的電極線的物質(zhì)，在第一電極的情況下，所述電極形成物質(zhì)可以為選自由鋁、鈦、銦、金及銀組成的組中的一種以上的金屬物質(zhì)，或者選自由銦錫氧化物(ITO，IndiumTinOxide)、ZnO:Al及碳納米管(CNT)導(dǎo)電性聚合物復(fù)合體組成的組中的一種以上的透明物質(zhì)。在所述電極形成物質(zhì)為兩種以上的物質(zhì)的情況下，優(yōu)選地，第一電極可以為兩種以上的物質(zhì)層疊的結(jié)構(gòu)。更加優(yōu)選地，第一電極可以為鈦、金等兩種物質(zhì)層疊的電極。但第一電極并不限于所述記載。由所述電極形成物質(zhì)103形成的第二電極可以為選自由鋁、鈦、銦、金及銀組成的組中的一種以上的金屬物質(zhì)，或者選自由銦錫氧化物(ITO)、ZnO:Al及碳納米管(CNT)導(dǎo)電性聚合物復(fù)合體組成的組中的一種以上的透明物質(zhì)。在所述電極形成物質(zhì)為兩種以上的物質(zhì)的情況下，優(yōu)選地，第二電極可以為兩種以上的物質(zhì)層疊的結(jié)構(gòu)。更加優(yōu)選地，第二電極可以為鈦、金等兩種物質(zhì)層疊的電極。但第二電極并不限于所述記載。形成所述第一電極和第二電極的物質(zhì)可以相同或不同。所述電極形成物質(zhì)的蒸鍍方法可以為熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、濺射蒸鍍法及絲網(wǎng)印刷方法等中的一個(gè)方法，優(yōu)選地，所述述電極形成物質(zhì)的蒸鍍方法可以為熱蒸鍍發(fā)，但并不限于此。在通過蒸鍍所述電極形成物質(zhì)來形成包括第一電極和與所述第一電極隔開形成的第二電極的電極線之后，如圖1中的(f)部分所示，利用丙酮、N-甲基吡咯烷酮(1-Methyl-2-pyrrolidone，NMP)及二甲亞諷(Dimethylsulfoxide，DMSO)中的任一種光致抗蝕劑去除劑來去除涂敷于底座基板100的光致抗蝕劑層，從而可制造出包括蒸鍍于底座基板100上的第一電極110a和與所述第一電極110a隔開形成的第二電極110b的電極線110。在通過上述方法制造的本發(fā)明的電極線110中，優(yōu)選地，單位電極面積，即，可以通過排列超小型發(fā)光二極管元件來獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)電極所被布置的排列區(qū)域的面積為1μm2至100cm2，更加優(yōu)選地，可以為10μm2至100mm2，但單位電極的面積并不限于此。并且，所述電極線110可以包括一個(gè)單位電極或多個(gè)單位電極。此外，在所述電極線110中，第一電極110a和第二電極110b之間的隔開間隔可以小于或等于超小型發(fā)光二極管元件的長度。由此，超小型發(fā)光二極管元件可以以水平形態(tài)介于兩個(gè)電極之間，或者超小型發(fā)光二極管元件可以以搭在兩個(gè)電極的方式相連通。另一方面，可用于本發(fā)明的電極線110為以與后述的第一電極110a相隔開的方式形成于與第一電極110a相同的平面上的第二電極110b，由此只要是可安裝超小型發(fā)光二極管的電極線則均可使用，可以根據(jù)目的改變在相同的平面上相互隔開的第一電極110a和第二電極110b的具體布置。其次，圖2為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線的立體圖，第一電極110a、110a’及/或第二電極110b、110b’可以形成于底座基板100上。所述“底座基板上”意味著第一電極110a、110a’及第二電極110b、110b’中的一個(gè)以上的電極可直接形成于底座基板100的表面或者可以以與底座基板100相隔開的方式形成于底座基板100的上部。更具體地，在圖2中，第一電極110a、110a’和第二電極110b、110b’均可直接形成于底座基板100的表面，并通過使第一電極110a’和第二電極110b’以相互交替的方式布置來使第一電極110a’和第二電極110b’在相同的平面上相互隔開。圖3為根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例的形成于底座基板上的第一電極及第二電極的電極線的俯視圖，第一電極110a、110c和第二電極110b、110d均可直接形成于底座基板100表面，并通過使第一電極110c和第二電極110d以螺旋的方式布置來使第一電極110c和第二電極110d在相同的平面上相互隔開。如上所述，在以相互交替的方式布置或以螺旋的方式布置來構(gòu)成電極線的情況下，可以提高可通過一次性排列面積有限的底座基板100所包括的超小型發(fā)光二極管來獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的單位電極的驅(qū)動(dòng)面積，從而能夠增加安裝于單位電極的超小型發(fā)光二極管的數(shù)量。由于其可以增加單位面積的發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度，因此所述布置方法可用于每個(gè)單位面積需要高亮度的各種光電元件。另一方面，圖2、圖3為本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，但本發(fā)明并不限于此，而本發(fā)明可以以兩個(gè)電極具有一定間隔的可想象得到的所有結(jié)構(gòu)布置來以多種方式變形實(shí)施。并且，與所述圖2中所示的根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的電極線不同，根據(jù)本發(fā)明的再一優(yōu)選實(shí)施例，第二電極可以以與底座基板相隔開的方式形成于底座基板的上部。具體地，圖4為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的形成于底座基板上的第一電極和第二電極的電極線的立體圖，雖然第一電極210a、210a’直接形成于底座基板200的表面，但第二電極210b、210b’可以以與底座基板200相隔開的方式形成于底座基板200的上部，第一電極210a’和第二電極210b’可以在相同的平面上以相互交替的方式布置。下面，以第一電極和第二電極在相同的平面上以相互交替的方式布置的形狀為中心進(jìn)行說明。然而，第一電極和第二電極可以直接形成于底座基板的表面或者第一電極和第二電極可以以與底座基板的表面相隔開的方式形成，并且，第一電極和第二電極可以不位于相同的平面。接下來，對投入于電極線上且包括多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液進(jìn)行說明。所述分散溶液可以通過使多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件與分散溶劑混合來制成。所述分散溶劑可以呈墨水狀或漿料狀。優(yōu)選地，所述分散溶劑可以為選自由丙酮、水、乙醇及甲苯組成的組中的一種以上，更加優(yōu)選地，所述分散溶劑可以為丙酮。但分散溶劑的種類并不限于所述記載，而且只要是不對超小型發(fā)光二極管元件產(chǎn)生物理、化學(xué)影響并可容易蒸發(fā)的溶劑則均可使用。優(yōu)選地，超小型發(fā)光二極管元件的含量相對于100重量份的分散溶劑可以為0.001至100重量份。若超小型發(fā)光二極管元件的含量小于0.001重量份，則由于與電極相連通的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量少，因此很難發(fā)揮超小型發(fā)光二極管電極組件的正常功能，為了克服上述困難而有可能存在需要多次添加分散溶液的問題，若超小型發(fā)光二極管元件的含量大于100重量份，則有可能存在多個(gè)各超小型發(fā)光二極管元件之間的整列受阻的問題。作為所述超小型發(fā)光二極管元件，只要是通常用于照明或顯示器的超小型發(fā)光二極管元件，則均可使用。優(yōu)選地，超小型發(fā)光二極管元件的長度可以為100nm至10μm，更加優(yōu)選地，超小型發(fā)光二極管元件的長度可以為500nm至5μm。若超小型發(fā)光二極管元件的長度小于100nm，則很難制造出高效率的發(fā)光二極管元件，若超小型發(fā)光二極管元件的長度大于10μm，則有可能使發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率下降。超小型發(fā)光二極管元件的形狀可以為圓柱、正六面體等多種形狀，優(yōu)選地，超小型發(fā)光二極管元件可呈圓柱形狀，但并不限于此。另一方面，根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的超小型發(fā)光二極管元件，本申請的發(fā)明人申請的韓國專利申請第2011-0040174號可以作為參考并入本發(fā)明。下面，在說明超小型發(fā)光二極管元件的過程中，”上方”、”下方”、”上”、”下”、”上部”及”下部”意味著以包括超小型發(fā)光二極管元件的各層為基準(zhǔn)的垂直方向上的上、下方向。所述超小型發(fā)光二極管元件可以包括第一電極層、形成于所述第一電極層上的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、形成于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的活性層、形成于所述活性層上的第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層及形成于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上的第二電極層。具體地，圖5為示出本發(fā)明所包括的超小型發(fā)光二極管元件的一實(shí)施例的立體圖，超小型發(fā)光二極管元件20包括第一電極層21、形成于第一電極層21上的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22、形成于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22上的活性層23、形成于所述活性層23上的第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24及形成于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24上的第二電極層25。首先，對第一電極層21進(jìn)行說明。第一電極層21可使用被用作普通的發(fā)光二極管元件的電極的金屬或金屬氧化物，優(yōu)選地，可以單獨(dú)或混合使用鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(A1)、金(Au)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)及它們的氧化物或合金等，但并不限于此。優(yōu)選地，所述第一電極層21的厚度可以分別為1～100nm，但并不限于此。其次，對形成于所述第一電極層21上的第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22進(jìn)行說明。例如，所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22可以包括n型半導(dǎo)體層。在所述超小型發(fā)光二極管元件20為藍(lán)色發(fā)光元件的情況下，所述n型半導(dǎo)體層可以為選自由結(jié)構(gòu)式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)表示的半導(dǎo)體材料，例如可以為選自氮化鋁銦鎵(InAlGaN)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)中的一種以上，并且，可涂敷有第一導(dǎo)電性摻雜物(例如，Si、Ge、Sn等)。優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22的厚度可以為500nm～5μm，但并不限于此。所述超小型發(fā)光二極管元件20所發(fā)出的光的顏色并不限于藍(lán)色，因此在發(fā)光顏色不同的情況下，可以將其他種類的III-V族半導(dǎo)體物質(zhì)用作n型半導(dǎo)體層，這并未受限制。接下來，對形成于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22上的活性層23進(jìn)行說明。在所述超小型發(fā)光二極管元件20為藍(lán)色發(fā)光元件的情況下，所述活性層23形成于所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22上，并且所述活性層23可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。可以在所述活性層23的上方和/或下方形成涂敷有導(dǎo)電性摻雜物的覆層(圖中未示出)，所述涂敷有導(dǎo)電性摻雜物的覆層可以實(shí)現(xiàn)為AlGaN層或InAlGaN層。此外，AlGaN、AlInGaN等物質(zhì)也當(dāng)然可以用作活性層23。當(dāng)向所述活性層23施加電場時(shí)，借助電子-空穴對的結(jié)合來產(chǎn)生光。優(yōu)選地，所述活性層23的厚度可以為10～200nm，但并不限于此。所述活性層23的位置可以根據(jù)超小型發(fā)光二極管元件20的種類而改變。由于所述超小型發(fā)光二極管元件20所發(fā)出的光的顏色并不限于藍(lán)色，因此在發(fā)光顏色不相同的情況下，可以將其他種類的III-V族半導(dǎo)體物質(zhì)用作活性層23，這并不受限制。其次，對形成于所述活性層23上的第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24進(jìn)行說明。在所述超小型發(fā)光二極管元件20為藍(lán)色發(fā)光元件的情況下，第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24形成于所述活性層23上，所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24可以實(shí)現(xiàn)為至少一個(gè)p型半導(dǎo)體層，所述p型半導(dǎo)體層可以為選自由結(jié)構(gòu)式InxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)表示的半導(dǎo)體物質(zhì)，例如可以為選自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN等中的一種以上，并且，可以涂敷有第二導(dǎo)電性摻雜物(例如，Mg)。在此，發(fā)光結(jié)構(gòu)物至少包括所述第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層22、所述活性層23、所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24，而且還可以在各層的上方/下方包括其他熒光體層、活性層、半導(dǎo)體層和/或電極層。優(yōu)選地，所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24的厚度可以為50nm～500nm，但并不限于此。所述超小型發(fā)光二極管元件20所發(fā)出的光的顏色并不限于藍(lán)色，因此，在發(fā)光顏色不同的情況下，可以將其他種類的III-V族半導(dǎo)體物質(zhì)用作p型半導(dǎo)體層，這并不受限制。接下來，對形成于所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層24上的第二電極層25進(jìn)行說明。所述第二電極層25可以使用被用作普通的發(fā)光二極管元件的電極的金屬或金屬氧化物，優(yōu)選地，可以單獨(dú)或混合使用鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(A1)、金(Au)、鎳(Ni)、氧化銦錫(ITO)及它們的氧化物或合金等，但并不限于此。優(yōu)選地，所述第二電極層25的厚度可以分別為1～100nm，但并不限于此。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件所包括的超小型發(fā)光二極管元件20還可包括涂敷于所述超小型發(fā)光二極管元件20的外部面的絕緣覆膜26。具體地，參照圖5，絕緣覆膜26可以被涂敷以便覆蓋活性層23的整個(gè)外部面，優(yōu)選地，為了防止因半導(dǎo)體層的外部表面受損而引起的超小型發(fā)光二極管元件的耐久性降低的問題，還可以在第一半導(dǎo)體層22和第二半導(dǎo)體層24中的一個(gè)以上的外部面涂敷絕緣覆膜26。所述絕緣覆膜26可以防止當(dāng)所述超小型發(fā)光二極管元件20的活性層23與超小型發(fā)光二極管電極組件所包括的電極線相接觸時(shí)發(fā)生的短路。并且，絕緣覆膜26通過保護(hù)超小型發(fā)光二極管元件20的活性層23的整個(gè)外部面來防止活性層23的表面缺陷，從而能夠抑制發(fā)光效率降低。如果使各個(gè)超小型發(fā)光二極管元件一一布置于互不相同的兩個(gè)電極之間并與兩個(gè)電極連通，就可以防止因活性層與電極相接觸而發(fā)生的電路短路。然而，在物理上難以使納米單元的超小型發(fā)光二極管元件一一安裝于電極。因此，根據(jù)本發(fā)明，在后述的步驟(2)中通過向電極線施加第一電源來使超小型發(fā)光二極管元件在互不相同的兩個(gè)電極之間自動(dòng)整列而安裝于電極，此時(shí)，在超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列的過程中，超小型發(fā)光二極管元件在互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行移動(dòng)、整列等位移，在此過程中，因超小型發(fā)光二極管元件的活性層有可能與電極線接觸，從而會(huì)頻繁發(fā)生電路短路。另一方面，在使超小型發(fā)光二管元件在電極上直立的情況下，會(huì)不發(fā)生因活性層與電極線接觸而引起的電路短路問題。即，僅在無法使超小型發(fā)光二極管元件在電極上直立而上述發(fā)光二極管元件水平布置于電極上的情況下，活性層與電極線才可以相接觸，在這種情況下，僅存在無法使超小型發(fā)光二極管元件與互不相同的兩個(gè)電極連通的問題，而會(huì)不發(fā)生電路短路問題。具體地，圖6為現(xiàn)有超小型發(fā)光二極管電極組件的垂直剖視圖，由圖可見，第一超小型發(fā)光二極管元件71的第一半導(dǎo)體層71a連通到第一電極線61上，第二半導(dǎo)體層71c與第二電極線62連通，第一超小型發(fā)光二極管元件71直立于上下布置的兩個(gè)電極61、62以與兩個(gè)電極61、62連通。在如圖6所示的電極組件中，若所述第一超小型發(fā)光二極管元件71與兩個(gè)電極都同時(shí)連通，則不存在所述元件的活性層71b與互不相同的兩個(gè)電極61、62中的任一個(gè)連通的可能性，因此會(huì)不發(fā)生因活性層71b和電極61、62相接觸而引起的電路短路。與此相反，在圖6中，第二超小型發(fā)光二極管元件72水平布置于第一電極61，在這種情況下，第二超小型發(fā)光二極管元件72的活性層72b與第一電極61相觸。然而，此時(shí)，僅存在第二超小型發(fā)光二極管元件未與第一電極61及第二電極62相連通的問題，而不會(huì)發(fā)生電路短路問題。由此，可以涂敷于所述第一超小型發(fā)光二極管元件71的第一半導(dǎo)體層71a、活性層71b及第二半導(dǎo)體層71c的外周面的絕緣覆膜僅可具有通過防止超小型發(fā)光二極管元件外部表面受損來防止發(fā)光效率下降的目的和效果。然而，本發(fā)明與如圖6中的現(xiàn)有超小型電極組件不同地互不相同的兩個(gè)電極以相互隔開的方式布置于相同的平面上(參照圖2)，且以與形成有所述兩個(gè)電極的相同的平面平行的方式水平布置超小型發(fā)光二極管元件，因此，必然發(fā)生在現(xiàn)有超小型電極組件中未發(fā)生的因超小型發(fā)光二極管元件的活性層和電極間的相接觸而引起的電路短路的問題。因此，為了防止上述問題，優(yōu)選包括絕緣覆膜，所述絕緣覆膜被涂敷以便覆蓋超小型發(fā)光二極管元件的活性層的整個(gè)外部面。此外，如根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件所包括的超小型發(fā)光二極管元件一般，在具有依次垂直排列第一半導(dǎo)體層、活性層及第二半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)的超小型發(fā)光二極管元件中，活性層必然向外露出。并且，在上述結(jié)構(gòu)的超小型發(fā)光二極管元件中，活性層并不是僅位于所述元件的長度方向的正中央，而是可以向特定半導(dǎo)體層的一側(cè)傾斜，從而可以增加電極和活性層相接觸的可能性。因此，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，必然需要被涂敷以便覆蓋活性層的整個(gè)外部面的絕緣覆膜。具體地，圖7為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的與第一電極和第二電極連通的超小型發(fā)光二極管元件的俯視圖和垂直剖視圖。具體地，如圖7中的A-A剖視圖，超小型發(fā)光二極管元件121a、121b、121c中的活性層121b并不位于超小型發(fā)光二極管元件121的中央部，而是向左側(cè)傾斜，在這種情況下，活性層121b的一部分與電極相連接的可能性變高，因此有可能發(fā)生電路短路，且上述問題會(huì)成為引發(fā)超小型發(fā)光二極管電極組件的不良的原因。為了解決上述問題，本發(fā)明所包括的超小型發(fā)光二極管元件涂敷有絕緣覆膜，使得絕緣覆膜覆蓋活性層的整個(gè)外部面，并且，借助絕緣覆膜，如圖7中的超小型發(fā)光二極管元件121所示，即使活性層121b搭在電極，也有可能不會(huì)發(fā)生短路。如前所述，若參照圖6進(jìn)行說明，則所述絕緣覆膜26優(yōu)選地可以包括氮化硅(Si3N4)、二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氫氧化鉿(HfO2)、三氧化二紀(jì)(Y2O3)及二氧化鈦(TiO2)中的一種以上，更加優(yōu)選地，所述絕緣覆膜26可以由上述成分形成但可以透明，但并不限于此。在所述絕緣覆膜26為透明的絕緣覆膜的情況下，所述絕緣覆膜26在起到絕緣覆膜26的作用的同時(shí)，還可以使因涂敷絕緣覆膜26而有可能發(fā)生的發(fā)光效率下降的問題最小化。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，所述絕緣覆膜26可以不涂敷于超小型發(fā)光二極管元件的第一電極層21和第二電極層25中任一個(gè)電極層的外部面，更加優(yōu)選地，絕緣覆膜26可以均未涂敷于兩個(gè)電極層11、12。這是因?yàn)樗鰞蓚€(gè)電極層21、25和互不相同的電極應(yīng)電連通，但若絕緣覆膜26涂敷于兩個(gè)電極層21、25，則有可能阻礙電連通，從而存在導(dǎo)致超小型發(fā)光二極管的發(fā)光下降或者因未能電連通而無法發(fā)光的問題。然而，若在兩個(gè)電極層21、25和互不相同的兩個(gè)電極之間存在電連通，則不存在問題，因此，除了所述兩個(gè)電極層21、25的末端部之外的剩余電極層部分可以包括絕緣覆膜26。并且，根據(jù)本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例，在所述超小型發(fā)光二極管元件20的所述絕緣覆膜26上還可包括疏水性覆膜27。所述疏水性覆膜27用于通過使超小型發(fā)光二極管元件20的表面具有疏水性特性來防止發(fā)光二極管元件之間的凝聚現(xiàn)象，當(dāng)超小型發(fā)光二極管元件20與分散溶劑相混合時(shí)，通過使超小型發(fā)光二極管元件20之間的凝聚最小化來消除阻礙獨(dú)立的超小型發(fā)光二極管元件20的特性的問題，當(dāng)向電極線施加電源時(shí)，可以使各個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20更加容易地進(jìn)行位置整列。疏水性覆膜27可以形成于所述絕緣覆膜26上。在這種情況下，只要可以形成于絕緣覆膜26上以防止超小型發(fā)光二極管元件20之間的凝聚現(xiàn)象，則可使用的疏水性覆膜27不受限制，優(yōu)選地，所述疏水性覆膜27可單獨(dú)或混合使用如十八烷基三氯硅烷(octadecyltrichlorosilane，OTS)和氟烷基硅烷(fluoroalkyltrichlorosilane)、全氟烷基三乙氧基硅烷(perfluoroalkyltriethoxysilane)等的自動(dòng)整列單分子膜(SAMs，self-assembledmonolayers)和如特氟龍(teflon)、全氟樹脂(Cytop)等的含氟聚合物(fluoropolymer)，但并不限于此。另一方面，為了使超小型發(fā)光二極管元件和互不相同的兩個(gè)電極之間電連通，根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件所包括的超小型發(fā)光二極管元件的長度滿足如下關(guān)系式1。若不電連通，即使向電極線施加電源，也未電連通的超小型發(fā)光二極管元件不發(fā)光，從而無法實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。[關(guān)系式1]0.5Z≦H<X+Y+2Z，優(yōu)選地，所述關(guān)系式1可以滿足Z≦H<X+Y+2Z，更加優(yōu)選地，所述關(guān)系式1可以滿足Z≦H≦X+Y+Z，此時(shí)，可以為100nm<X≦10μm，100nm<Y≦10μm，100nm<Z≦10μm。所述X為電極線所包括的第一電極的寬度，所述Y為第二電極的寬度，所述Z為第一電極和與所述第一電極相鄰的第二電極之間的間距，所述H為超小型發(fā)光二極管元件的長度。在此，在設(shè)有多個(gè)所述第一電極和第二電極的情況下，所述兩個(gè)電極間的間距(Z)可以相同或不同。所述超小型發(fā)光二極管元件與互不相同的兩個(gè)電極電連通的部分可以為超小型發(fā)光二極管元件的第一電極層和第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層中的一個(gè)以上的層(或第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層和第二電極層中的一個(gè)以上的層)。若超小型發(fā)光二極管元件的長度明顯小于互不相同的兩個(gè)電極之間的間距，則超小型發(fā)光二極管元件難以與互不相同的兩個(gè)電極這雙方均連接。因此，根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件為超小型發(fā)光二極管元件的長度滿足所述關(guān)系式1中的0.5Z≦H的超小型發(fā)光二極管元件。若超小型發(fā)光二極管元件的長度不滿足關(guān)系式1中的0.5Z≦H，則存在超小型發(fā)光二極管元件無法與第一電極和第二電極電連通，而超小型發(fā)光二極管元件僅與第一電極和第二電極中的任一個(gè)電極連通的問題。更加優(yōu)選地，如圖7所示，由于超小型發(fā)光二極管元件122可介于第一電極111和第二電極131之間來電連通，從而本發(fā)明所包括的超小型發(fā)光二極管元件可以為滿足關(guān)系式1中的Z≦H的發(fā)光二極管元件。另一方面，如果超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)考慮第一電極的寬度(X)、第二電極的寬度(Y)及第一電極與第二電極之間的電極間距(Z)來變長，就可以使并非為超小型發(fā)光二極管元件(圖7中標(biāo)號123)的兩個(gè)末端部的部分分別與第一電極112和第二電極132獨(dú)立連接。在超小型發(fā)光二極管元件123如上所述連通的情況下，若超小型發(fā)光二極管元件未涂敷有絕緣覆膜，則有可能將成為發(fā)生電極和超小型發(fā)光二極管元件123之間發(fā)生電路短路的原因。然而，根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件涂敷有絕緣覆膜使得絕緣覆膜覆蓋活性層的整個(gè)外部面，因此，如圖7中的超小型發(fā)光二極管元件123所示，即使在并非為超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端部分的部分與電極相連接的情況下，也可以不發(fā)生電路短路，同時(shí)，可以電連通。然而，若隨著超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)同時(shí)考慮第一電極的寬度(X)、第二電極的寬度(Y)及第一電極與第二電極之間的電極間距(Z)而變長，從而導(dǎo)致無法滿足關(guān)系式1中的H<X+Y+2Z，則可存在超小型發(fā)光二極管電極組件包括無法電連接的超小型發(fā)光二極管元件的問題。具體地，在圖7中，超小型發(fā)光二極管元件124同時(shí)與兩個(gè)第一電極112、113及一個(gè)第二電極132相連通，但與這種情況相對應(yīng)的超小型發(fā)光二極管元件的長度屬于不滿足所述關(guān)系式1中的H<X+Y+2Z的情況。在這種情況下，根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件在活性層涂敷有絕緣覆膜，因此可以消除因第二電極132與活性層相接觸而發(fā)生的電路短路的問題，但隨著兩個(gè)第一電極112、113與超小型發(fā)光二極管元件124的兩個(gè)末端相連通，從而所述兩個(gè)第一電極112、113實(shí)際處于未電連通的狀態(tài)，這種超小型發(fā)光二極管元件124有可能存在即使向電極線施加電源，也不發(fā)光的問題。因此，超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)應(yīng)滿足關(guān)系式1中的H<X+Y+2Z。然而，若超小型發(fā)光二極管元件的活性層向特定導(dǎo)電性半導(dǎo)體層一側(cè)傾斜(參照圖7中的125b)，并且，與電極連通的超小型發(fā)光二極管元件的部分為涂敷有絕緣覆膜的活性層而非電極層和/或?qū)щ娦园雽?dǎo)體層，則雖然因絕緣覆膜而不會(huì)發(fā)生電路短路，但有可能存在超小型發(fā)光二極管元件未與電極線電連通的問題。具體地，在圖7中，超小型發(fā)光二極管元件125同時(shí)與第一電極111及第二電極131相連通。然而，若觀察圖7中的B-B剖視圖，則可確認(rèn)，與第一電極111相連通的超小型發(fā)光二極管元件的部分為涂敷有絕緣覆膜的活性層125c部分，第一電極層125a和第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層125b未與第一電極111相連通。在這種情況下，因在超小型發(fā)光二極管元件的在活性層125c部分涂敷有絕緣覆膜而不發(fā)生電路短路，但因第一電極層125a及第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層125b未與第一電極111相連通，從而有可能存在當(dāng)向電極線施加電源時(shí)超小型發(fā)光二極管元件125不發(fā)光的問題。有可能發(fā)生上述情況的超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)可以滿足關(guān)系式1中的X+Y+Z<H<X+Y+2Z，更加優(yōu)選地，超小型發(fā)光二極管元件的長度(H)可以滿足關(guān)系式1中的H≦X+Y+Z。在此情況下，具有可以實(shí)現(xiàn)與在超小型發(fā)光二極管元件中向長度方向涂敷絕緣覆膜的位置無關(guān)地不存在電路短路并電連通的超小型發(fā)光二極管電極組件的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，在步驟(1)中的底座基板上還可包括絕緣隔板，所述絕緣隔板包圍安裝有多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域。若絕緣隔板形成于底座基板上，則由絕緣隔板包圍的電極線區(qū)域可以包括包含多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液。當(dāng)電極線包括包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液時(shí)，絕緣隔板防止包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液向應(yīng)包括超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域以外溢出，使得超小型發(fā)光二極管元件布置在所希望的電極線區(qū)域。所述絕緣隔板可以通過后述的制造工序而制成，但絕緣隔板的制造方法并不限于此。具體地，圖8為示出根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的在底座基板和形成于所述底座基板上的電極線形成絕緣隔板的制造工序的示意圖，如上所述，可以在制造蒸鍍于底座基板上的電極線之后制造絕緣隔板。首先，如圖8的(a)部分所示，制造出底座基板100，所述底座基板100的一表面形成有包括第一電極110a和與所述第一電極110a隔開形成的第二電極110b的電極線110。其次，如圖8的(b)部分所示，可以在底座基板100和形成于所述底座基板100上并包括第一電極110a和第二電極110b的電極線110上形成絕緣層104。所述絕緣層104作為經(jīng)過后述工序后形成絕緣隔板的層，所述絕緣層104的材質(zhì)可以為在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
通常所使用的絕緣物質(zhì)，優(yōu)選地，絕緣物質(zhì)可以為二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋁(Al2O3)、氫氧化鉿(HfO2)、三氧化二釔(Y2O3)及二氧化鈦(TiO2)等無機(jī)絕緣物和多種透明聚合物絕緣物中的一種以上。在通過向底座基板100和在所述底座基板100上所形成的電極線l03a、103b上涂敷無機(jī)物絕緣層來形成所述絕緣層104的情況下，涂敷方法可以采用化學(xué)氣相蒸鍍法、原子層蒸鍍法、電子束蒸鍍法及旋涂方法中的任一種方法，優(yōu)選地，可以為化學(xué)氣相蒸鍍法，但并不限于此。并且，涂敷聚合物絕緣層的方法可以采用旋涂、濺射涂敷及絲網(wǎng)印刷等方法中的一種方法，優(yōu)選地，可以為旋涂，但并不限于此，而具體的涂敷方法可以采用在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
公知的方法。作為不使超小型發(fā)光二極管元件向應(yīng)包括超小型發(fā)光二極管元件的電極線區(qū)域以外溢出且不對后述工序產(chǎn)生影響的厚度，所涂敷的絕緣層104的厚度優(yōu)選地可以為0.1～100μm，更加優(yōu)選地，0.3～10μm。然后，可以通過在所述絕緣層104上涂敷光致抗蝕劑(PR，photoresist)來形成光致抗蝕劑層105。所述光致抗蝕劑可以為在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
通常所使用的光致抗蝕劑。將所述光致抗蝕劑涂敷于絕緣層104上的方法可以為旋涂、濺射涂敷及絲網(wǎng)印刷中的任一種，優(yōu)選地，可以為旋涂，但并不限于此，具體的涂敷方法可以采用在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
公知的方法。優(yōu)選地，所涂敷的光致抗蝕劑層105的厚度大于當(dāng)蝕刻時(shí)作為膜所涂敷的絕緣層104的厚度，由此，光致抗蝕劑層105的厚度可以為1～20μm。然而，所涂敷的光致抗蝕劑層105的厚度可根據(jù)以后的目的而改變。接下來，如圖8的(c)部分所示，可以在絕緣層104上形成光致抗蝕劑層105之后，將與絕緣隔板的水平截面形狀相對應(yīng)的掩膜106放置于光致抗蝕劑層105，并在所述掩膜106的上部照射紫外線。然后，可以執(zhí)行通過將曝光的光致抗蝕劑層浸漬于普通光致抗蝕劑溶劑來進(jìn)行去除的步驟，由此，如圖8的(d)部分所示，可以去除與將安裝超小型發(fā)光二極管元件的電極線的區(qū)域相對應(yīng)的曝光的光致抗蝕劑層部分。其次，可以執(zhí)行通過對去除光致抗蝕劑層而露出絕緣層的區(qū)域進(jìn)行蝕刻來去除所露出的絕緣層部分的步驟。所述蝕刻可以通過濕法刻蝕或干法蝕刻執(zhí)行，優(yōu)選地，可以通過干法蝕刻執(zhí)行。所述蝕刻法的具體方法可以采用在本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
公知的方法。具體地，所述干法蝕刻可以為等離子蝕刻、濺射蝕刻及反應(yīng)離子蝕刻中的一種以上的方法。然而，具體的蝕刻方法并不限于所述記載。如圖8的(e)部分所示，若通過蝕刻去除所露出的絕緣層，則可以露出底座基板100和電極線110a’、110b’。接下來，如圖8的(f)部分所示，若利用丙酮、N-甲基吡咯烷酮丙酮(NMP)及二甲亞砜(DMSO)中的任一種光致抗蝕劑去除劑來去除涂敷于底座基板100上的光致抗蝕劑層(圖8e中的標(biāo)號105)，則可在底座基板100上的除實(shí)際安裝超小型發(fā)光二極管元件的區(qū)域(圖8中的標(biāo)號p)之外的區(qū)域制造出絕緣隔板104。如上所述，若在底座基板100上形成有絕緣隔板104，則可以向由絕緣隔板104包圍的電極線區(qū)域投入包含多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液。具體地，圖9為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造工序的立體圖，如圖9的(a)部分所示，可以向由形成于底座基板100上的絕緣隔板104包圍的電極線110a、110b區(qū)域投入包含多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20的分散溶液30。在此情況下，與在底座基板100上未形成絕緣隔板30的情況相比，可以使包括超小型發(fā)光二極管元件20的分散溶液30直接位于目標(biāo)電極線區(qū)域。并且，具有如下優(yōu)點(diǎn)：可以防止因在投入所述分散溶液30后，超小型發(fā)光二極管元件20向電極線的外圍擴(kuò)散而導(dǎo)致超小型發(fā)光二極管元件20位于未希望安裝超小型發(fā)光二極管元件20的電極線區(qū)域和/或不存在電極線的區(qū)域。在投入包含所述多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20的分散溶液30之后，如圖9的(b)部分所示，向電極線110a、110b施加電源，則如圖9的(c)部分所示，多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20在電極線110a、110b自動(dòng)整列其次，通過向所述電極線施加電源來使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列，以制造出與第一電極和第二電極相連接的超小型發(fā)光二極管電極組件。通常，在發(fā)光二極管元件的情況下，具有能夠以物理方式直接布置的大小，因此，可以使發(fā)光二極管元件與在相同的平面上隔開形成的互不相同的電極同時(shí)連接。然而，在本發(fā)明中的超小型發(fā)光二極管元件具有很難以物理方式直接布置的大小，因此，難以使超小型發(fā)光二極管元件與在相同的平面上隔開的互不相同的超小型電極相連接。并且，因根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件可以呈圓筒形狀，由于這種形狀而有可能導(dǎo)致超小型發(fā)光二極管元件滾動(dòng)的問題。因此，即使使超小型發(fā)光二極管元件位于與第一電極和第二電極相連接的位置，也其位置會(huì)容易改變。為了解決上述問題，在本發(fā)明中，通過向電極線施加第一電源來使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列，因此，可以使第一電極和第二電極相連接，即，可以使第一電極和第二電極電連通。向所述電極線施加的電源可以為具有振幅和周期的可變電源，并且，所述電源的波形可以為正弦波或者由非正弦波的波形構(gòu)成的脈沖波。作為一例，可以通過向電極線施加交流電，或者也可以通過以0V、30V、0V、30V、0V、30V的方式每秒向第一電極重復(fù)施加1000次的直流電，并以與第一電極相反的30V、0V、30V、0V、30V、0V的方式每秒向第二電極重復(fù)施加1000次的直流電，從而形成具有振幅和周期的可變電源。優(yōu)選地，所述電源的電壓(振幅)可以為0.1V至1000V，頻率可以為10Hz至100GHz。溶劑包括將要自動(dòng)整列的超小型發(fā)光二極管元件，并向電極線投入所述溶劑，而所述溶劑可以在落到電極上的同時(shí)蒸發(fā)，由于借助通過兩個(gè)電極的電位差而形成的電場的誘導(dǎo)來使電荷以非對稱的方式被誘導(dǎo)向超小型發(fā)光二極管元件，因此，超小型發(fā)光二極管元件可以在與超小型發(fā)光二極管元件的兩個(gè)末端相向的互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行自動(dòng)整列。優(yōu)選地，通過施加電源5秒鐘至120秒鐘來可以使超小型發(fā)光二極管元件與互不相同的兩個(gè)電極相連接。另一方面，與第一電極和第二電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量(N)可以基于可調(diào)節(jié)的多個(gè)變數(shù)。所述變數(shù)可以為所施加的電源的電壓(V)、電源的頻率(F，Hz)、包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液的濃度(C，超小型發(fā)光二極管的重量百分比)、兩個(gè)電極之間的間距(Z)、超小型發(fā)光二極管的縱橫比(AR，其中AR＝H/D，D為超小型發(fā)光二極管的直徑)。由此，與第一電極和第二電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量(N)與電壓(V)、頻率(F)、包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液的濃度(C)及超小型發(fā)光二極管的縱橫比(AR)成正比，并且與兩個(gè)電極之間的間距(Z)成反比。這是因?yàn)槌⌒桶l(fā)光二極管元件借助通過兩個(gè)電極的電位差而形成的電場的誘導(dǎo)而在互不相同的兩個(gè)電極之間進(jìn)行自動(dòng)整列，電場的強(qiáng)度越大，可以使與電極相連通的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量增加，而且所述電場的強(qiáng)度可以與兩個(gè)電極的電位差(V)成正比，并與兩個(gè)電極之間的間距(Z)成反比。其次，在包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液的濃度(C，超小型發(fā)光二極管的重量百分比)的情況下，濃度越增加，可以使與兩個(gè)電極相連接的發(fā)光二極管元件的數(shù)量增加。接下來，在電源的頻率(F，Hz)的情況下，由于根據(jù)頻率而形成于超小型發(fā)光二極管元件的電荷差會(huì)不同，因此，若頻率增加，可以增加與兩個(gè)電極相連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量。然而，若頻率增加至規(guī)定值以上，則有可能導(dǎo)致電荷誘導(dǎo)消失，因此，可以使與兩個(gè)電極連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量減少。最后，在超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比的情況下，若超小型發(fā)光二極管元件的縱橫比變大，則基于電場的誘導(dǎo)電荷也變大，因此，可以使更多數(shù)量的超小型發(fā)光二極管元件整列。并且，當(dāng)在超小型發(fā)光二極管元件可以整列的空間方面考慮面積有限的電極線時(shí)，在超小型發(fā)光二極管元件的長度被固定的狀態(tài)下，通過使超小型發(fā)光二極管元件的直徑變小，從而，在縱橫比變大的情況下，可以與有限的兩個(gè)電極連接的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量能夠增加。本發(fā)明具有通過調(diào)節(jié)上述多種因素來根據(jù)目的調(diào)節(jié)與兩個(gè)電極連接的發(fā)光二極管元件的數(shù)量的優(yōu)點(diǎn)。優(yōu)選地，在每100×100μm2面積的電極線中可以實(shí)際安裝的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量為2至100,000個(gè)，更加優(yōu)選地，可以為10至10,000個(gè)。通過使每一本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件包括多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件來可以使因多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件中的一部分發(fā)生不良而引起的超小型發(fā)光二極管電極組件的功能下降或功能喪失最小化。并且，若所包含的超小型發(fā)光二極管元件的數(shù)量大于100,000個(gè)，則制造成本上升，并會(huì)在超小型發(fā)光二極管元件的整列方面存在問題。接下來，通過步驟(1)使超小型發(fā)光二極管元件自動(dòng)整列來制成的超小型發(fā)光二極管電極組件可以經(jīng)過快速熱處理方法(RapidThermalAnnealing，RTA)除去分散溶液所包含的分散溶劑?？焖贌崽幚矸椒ㄊ侵冈谳^短時(shí)間內(nèi)在高溫度下進(jìn)行熱處理的方法，通過該快速熱處理方法可以除去分散溶劑。由此，不僅可以提高根據(jù)本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管元件的發(fā)光效率，也可以通過除去雜質(zhì)來預(yù)防當(dāng)為形成在后述步驟(2)中的金屬電阻層而進(jìn)行電鍍時(shí)有可能發(fā)生的缺陷。若未采用快速熱處理方法而進(jìn)行后述的步驟(2)之后的工序來制造出超小型發(fā)光二極管電極組件，則即使在該超小型發(fā)光二極管電極組件形成用于提高超小型發(fā)光二極管元件的兩末端與電極之間電連接性并降低接觸電阻的歐姆層，也有可能歐姆層的形成微弱，無法發(fā)揮目標(biāo)水平的發(fā)光效率，且發(fā)生大電流損失。另一方面，所述快速熱處理方法不僅可以在步驟(2)之前進(jìn)行，還可以在步驟(3)之后再進(jìn)行，由此，可以進(jìn)一步提高超小型發(fā)光二極管元件的兩末端與電極之間的電連接性。具體地，圖11為經(jīng)過步驟(2)和步驟(3)的超小型發(fā)光二極管電極組件的掃描式電子顯微鏡(SEM，scanningelectronmicroscope)照片，而圖12為在經(jīng)過步驟(2)和步驟(3)之后再進(jìn)行快速熱處理的超小型發(fā)光二極管電極組件的掃描式電子顯微鏡照片。當(dāng)對圖11和圖12進(jìn)行比較時(shí)，可以確定，兩者都在超小型發(fā)光二極管元件和電極上涂敷Au納米顆粒，且在電極與超小型發(fā)光二極管元件的接觸地點(diǎn)之間充填A(yù)u納米顆粒，但在這程度方面，與圖11相比，圖12更加顯著。所述快速熱處理方法可以通過在600℃～1,000℃下對超小型發(fā)光二極管電極組件進(jìn)行熱處理0.5分鐘～10分鐘而實(shí)現(xiàn)，優(yōu)選地，可以進(jìn)行1～7分鐘。若在小于600℃的溫度下進(jìn)行熱處理及/或在小于0.5分鐘的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行熱處理，則有可能存在雜質(zhì)未被完全除去的問題和不完全發(fā)生超小型發(fā)光二極管元件與電極之間的接觸反應(yīng)的問題，并且，若在大于1,000℃的溫度下進(jìn)行熱處理及/或在大于10分鐘的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行熱處理，則有可能發(fā)生底座基板及/或電極出現(xiàn)變形或破碎的問題，和由于電阻增加而導(dǎo)致無法順利地向超小型發(fā)光二極管元件施加電壓。最后，根據(jù)本發(fā)明的包括選擇性金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的制造方法的步驟(2)，將所述超小型發(fā)光二極管電極組件浸漬于電解鍍金液中，向所述超小型發(fā)光二極管電極組件的第一電極或第二電極施加電源，以在1分鐘至300分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)，優(yōu)選地，在5分鐘至200分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)，更加優(yōu)選地，在10分鐘至55分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)進(jìn)行電鍍工序，從而將金屬電阻層形成于所述超小型發(fā)光二極管電極組件。所述步驟(2)可以通過電鍍工序執(zhí)行。電鍍工序是指，通過在陽極和陰極之間施加電源來使在陽極產(chǎn)生氧化反應(yīng)并在陰極產(chǎn)生還原反應(yīng)，使得所希望的金屬鍍在陰極側(cè)的材料的工序。此時(shí)，陽極和陰極浸漬于電解鍍金液中，而將要鍍在陰極的金屬以離子狀態(tài)存在于電解鍍金液中。具體地，本發(fā)明的步驟(2)可以通過電鍍工序執(zhí)行，對此參照圖10說明如下。圖10為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的為形成金屬電阻層而進(jìn)行的電鍍工序圖。首先，準(zhǔn)備在內(nèi)部包括電解鍍金液420的電解槽410。電解鍍金液420可以包括離子化合物形式的金屬前體、去離子水及添加劑。其次，工作電極440、標(biāo)準(zhǔn)電極460及對電極450浸漬于所述電解鍍金液420中。工作電極440可以采用本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件。接下來，使用作工作電極440的本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件、標(biāo)準(zhǔn)電極460及對電極450與電源430電連接。使電源430的(+)與對電極450連接，并(-)與本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件的第一電極或第二電極連接之后，在1分鐘至300分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)，優(yōu)選地，在5分鐘至200分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)，更加優(yōu)選地，在10分鐘至55分鐘的鍍金時(shí)間(T1)內(nèi)施加電源，在所述超小型發(fā)光二極管電極組件，優(yōu)選地，在自動(dòng)整列有多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面蒸鍍金屬前體，從而形成金屬電阻層。若施加電源的時(shí)間小于1分鐘，則在自動(dòng)整列有多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面難以形成足夠的金屬電阻層，若施加電源的時(shí)間大于300分鐘，在電極會(huì)發(fā)生短路。此時(shí)，為更加改善的金屬電阻層的形成而施加的電源430可以為電壓為-0.2～-1.0V的脈沖波，脈沖波的電源被施加0.05～30秒，更加優(yōu)選地，被施加1秒～10秒，且靜止0.05秒～30秒，更加優(yōu)選地，靜止1秒～10秒。然而，本發(fā)明不限于上述脈沖波的施加/靜止條件。當(dāng)通過步驟(2)的過程形成金屬電阻層時(shí)，可以僅在與電源430電連接的第一電極或第二電極形成金屬電阻層，或在第一電極和第二電極都形成第一金屬電阻層。在前一情況下，在第一電極或第二電極中未與電源430連接的電極未形成金屬電阻層，因此，為了在所有電極線均勻形成金屬電阻層，可以進(jìn)行步驟(3)。在步驟(3)中，通過向與在所述步驟(2)中的施加電源的第一電極或第二電極相反的電極施加電源來在滿足下述數(shù)學(xué)式1的鍍金時(shí)間(T2)內(nèi)進(jìn)行電鍍工序，從而可以將金屬電阻層形成于超小型發(fā)光二極管電極組件：[數(shù)學(xué)式1]1分鐘≦鍍金時(shí)間(T2)≦T1其中，T1是指步驟(2)的電鍍工序的鍍金時(shí)間。所述步驟(3)可以與所述步驟(2)相同地通過電鍍工序執(zhí)行。在使電源430的(+)與對電極450連接，并(-)與本發(fā)明的超小型發(fā)光二極管電極組件的電極線中與在步驟(2)中施加電源的第一電極或第二電極相反的電極連接之后，在所述數(shù)學(xué)式1的鍍金時(shí)間(T2)內(nèi)施加電源來在所述超小型發(fā)光二極管電極組件，優(yōu)選地，在自動(dòng)整列有多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面蒸鍍金屬前體，從而可以形成金屬電阻層。此時(shí)，為了形成發(fā)揮更改善的物性的金屬電阻層，所施加的電源430可以為電壓為-0.2～-1.0V的脈沖波，且脈沖波的電源可以被施加0.05秒～30秒，更加優(yōu)選地，被施加1秒～10秒，而靜止0.05秒～30秒，更加優(yōu)選地，靜止1秒～10秒。然而，本發(fā)明不限于上述脈沖波的施加/靜止條件。并且，為了制造發(fā)揮更改善的物性的超小型發(fā)光二極管電極組件，所述T2的鍍金時(shí)間優(yōu)選為4分鐘，更加優(yōu)選為8分鐘以上。如前所述，金屬電阻層通過借助超小型發(fā)光二極管電極組件的電極線的還原反應(yīng)使電解鍍金液所包括的金屬前體蒸鍍于電極線來形成，如圖13和圖14所示，在超小型發(fā)光二極管電極組件上，優(yōu)選地，在自動(dòng)整列有超小型發(fā)光二極管元件20的電極線110a、110b的一表面上形成金屬電阻層50。如上所述，在自動(dòng)整列有超小型發(fā)光二極管元件20的電極線110a、110b的一表面上形成金屬電阻層50的理由是因?yàn)椋?dāng)向與多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20連接的第一電極110a和第二電極110b施加電源時(shí)，多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20發(fā)光，此時(shí)，在超小型發(fā)光二極管元件20與第一電極110a和第二電極110b之間會(huì)發(fā)生的接觸電阻可以被降低。接觸電阻是指當(dāng)電流流過相接觸的兩個(gè)導(dǎo)體的接觸面時(shí)在該接觸面產(chǎn)生的電阻，若使兩個(gè)導(dǎo)體相接觸并流過電流，則在該接觸部位電壓下降且溫度上升。換句話說，接觸電阻是指當(dāng)通過施加電源來使電流流過相接觸的多個(gè)超小型發(fā)光二極管元件20與第一電極110a和第二電極110b的接觸部分的金屬線時(shí)在該接觸部分產(chǎn)生的電阻，在該接觸部位電壓下降且溫度上升。所述金屬電阻層50形成為選擇性地包括超小型發(fā)光二極管元件20與第一電極110a的接觸部位和超小型發(fā)光二極管元件20與第二電極110b的接觸部位，因此，可以改善超小型發(fā)光二極管元件20與第一電極110a和第二電極110b之間的接觸，并且，因金屬電阻層50由導(dǎo)電性材料形成而不僅可以提高超小型發(fā)光二極管元件20與第一電極110a和第二電極110b之間的導(dǎo)電性，還可以降低接觸電阻。如前所述，電解鍍金液可以包括添加劑，而添加劑的例子包括用于使金屬電阻層50平滑的平滑劑、用于使金屬電阻層50的顆粒微細(xì)化的晶粒細(xì)化劑、用于在金屬電阻層50形成于電極線110a、110b的一表面的過程中緩解金屬電阻層50中的應(yīng)力的應(yīng)力減少劑及用于使金屬離子化合物的金屬元素容易附著于電極線的一表面的潤濕劑等。另一方面，所述金屬前體可以包括金前體、銀前體、銅前體及鉑前體中的至少一種。即，若電解鍍金液包括金前體，則在自動(dòng)整列有超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面形成由金制成的金屬電阻層，若電解鍍金液包括銀前體，則在自動(dòng)整列有超小型發(fā)光二極管元件的電極線的一表面形成由銀制成的金屬電阻層。本發(fā)明可使用的金前體的例子可以包括HAuCl4、KAuCl4，銀前體的例子可以包括KAg(CN)2、NaAg(CN)2、AgCN、AgOCN、AgNO3、AgCO3及C2H3AgO3，銅前體的例子可以包括CuCN、Cu(NO3)2、CuCO3、Cu2(OAc)4及CuSO4。并且，鉑前體的例子可以包括H2PtCl6。然而，本發(fā)明的金屬前體不限于此，只要是在電鍍工序中可以用作電鍍材料的金屬前體，則均可使用。此外，電解鍍金液可以以0.001～100mM的濃度包括所述金屬前體，優(yōu)選地，以0.01～100mM的濃度包括所述金屬前體，更加優(yōu)選地，以0.01～50mM的濃度包括所述金屬前體。若金屬前體的濃度小于0.001mM，則有可能存在蒸鍍不充分的問題，若金屬前體的濃度大于100mM，則因蒸鍍過度進(jìn)行而在超小型發(fā)光二極管電極組件會(huì)發(fā)生短路。另一方面，步驟(2)及/或步驟(3)可以在10～30℃的溫度下進(jìn)行，優(yōu)選地，在15～25℃的溫度下進(jìn)行，若溫度小于10℃，則有可能發(fā)生金屬電阻層的形成量不充分的問題，若溫度大于30℃，形成金屬電阻層的金屬以氧化的形式形成，并在超小型發(fā)光二極管電極組件發(fā)生短路。雖然上面結(jié)合示例性實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員而言，顯然，在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出改變和變型。例如，可以對所述示例性實(shí)施例中詳細(xì)示出的每個(gè)元件進(jìn)行修改和實(shí)施。另外，應(yīng)該明白，與所述變型和應(yīng)用有關(guān)的差別包含在所附權(quán)利要求中所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。通過以下用于說明本發(fā)明的實(shí)施例可以更好地理解本發(fā)明，但不能解釋為限制本發(fā)明。<比較例1>在石英材質(zhì)的厚度為800μm的底座基板上制造出如圖2所示的電極線。此時(shí)，在所述電極線中，第一電極的寬度為3μm，第二電極的寬度為3μm，所述第一電極和與所述第一電極相鄰的第二電極之間的間距為2μm，電極的厚度為0.2μm，第一電極和第二電極的材質(zhì)為鈦/金，在所述電極線中，用于安裝超小型發(fā)光二極管元件的區(qū)域的面積為4.2×x107μm2。然后，通過相對于100重量份的丙酮混合1.0重量份的超小型發(fā)光二極管元件來制得包含超小型發(fā)光二極管元件的分散溶液，其中，所述超小型發(fā)光二極管元件具有如下表1的規(guī)格，并具有如圖6所示的結(jié)構(gòu)，而且，在超小型發(fā)光二極管元件的活性層部分涂敷有如下表1所示的絕緣覆膜。在將所制得的分散溶液落到電極線區(qū)域之后，向電極線施加電壓為Vac＝30V、頻率為950kHz的交流電源一分鐘，以制造出超小型發(fā)光二極管電極組件?！颈?】材質(zhì)高度(μm)直徑(μm)第一電極層鉻0.030.6第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層n-GaN1.640.6活性層InGaN0.10.6第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層p-GaN0.20.6第二電極層鉻0.030.6絕緣覆膜氧化鋁厚度0.02超小型發(fā)光二極管元件-20.62<比較例2>通過在810℃溫度下對在所述比較例1中制得的超小型發(fā)光二極管電極組件進(jìn)行熱處理2分鐘來制造出超小型發(fā)光二極管電極組件。<實(shí)施例1>參照圖10對電鍍工序的過程進(jìn)行說明。首先，向電解槽410投入電解鍍金液420。電解鍍金液420是通過用去離子水稀釋HAuCl4(Aldrich公司，99.99％微量金屬基準(zhǔn)，在稀釋的HCl中30重量百分比)來制成的0.05mM濃度的溶液。其次，將工作電極440、標(biāo)準(zhǔn)電極460及對電極450浸漬于所述電解鍍金液420中。工作電極440采用在比較例2中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件，標(biāo)準(zhǔn)電極采用Ag/AgCl電極，對電極采用鉑板。接下來，使電源430與所述工作電極440、標(biāo)準(zhǔn)電極460及對電極450電連接。此時(shí)，在使電源430的(+)與對電極450相連接，并(-)與用作工作電極440的在比較例2中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的第一電極相連接之后，在25分鐘的時(shí)間內(nèi)以-0.2V的脈沖波施加電源430。采用在2秒內(nèi)施加電源430且靜止2秒的方式制造出形成有金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件。<實(shí)施例2>與實(shí)施例1相同的方法對在實(shí)施例1中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件進(jìn)行金屬鍍金工序。然而，在使電源430的(+)與對電極450相連接并(-)與在實(shí)施例1中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的第二電極相連接之后，在25分鐘的時(shí)間內(nèi)以-0.2V的脈沖波施加電源430。采用在2秒內(nèi)施加電源430且靜止2秒的方式制造出形成有金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件。<實(shí)驗(yàn)例1>對在比較例和實(shí)施例中所制得的超小型電極組件的電極線施加一分鐘的電壓為VAc＝30V、頻率為950kHz的交流電源，然后觀察發(fā)出藍(lán)色光的超小型發(fā)光二極管元件。圖15為在比較例1中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片，圖16為在比較例2中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片，圖17為在實(shí)施例1中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片，圖18為在實(shí)施例2中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的超小型發(fā)光二極管元件的藍(lán)色電致發(fā)光照片。參照圖15至圖18，則可確定，與在比較例1中制造的超小型電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率相比，在比較例2中制造的超小型電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率得到提高。具體地，在比較例2中制造的超小型電極組件的發(fā)光效率比在比較例1中制造的超小型電極組件的發(fā)光效率提高了約3.74倍。由此可見，若對在比較例1中制造的超小型電極組件進(jìn)行熱處理，則用作分散溶劑的丙酮被除去，且超小型發(fā)光二極管元件與電極之間的電連接性進(jìn)一步得到提高，從而提高超小型電極組件的發(fā)光效率。并且，可以看出，與在比較例1和比較例2中制造的超小型電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率相比，在實(shí)施例1中制造的形成有金屬電阻層的超小型電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率更加提高。具體地，可以看出，在實(shí)施例1中制造的形成有金屬電阻層的超小型電極組件的發(fā)光效率與在比較例1中制造的超小型電極組件的發(fā)光效率相比提高了約15倍，并且，與在比較例2中制造的超小型電極組件的發(fā)光效率相比提高了約4倍。由此可見，若對超小型電極組件進(jìn)行電鍍工序來形成金屬電阻層，則超小型發(fā)光二極管元件與電極線之間的導(dǎo)電性提高，且接觸電阻降低，從而發(fā)光效率得到提高。最后，可以確定，與在實(shí)施例1中制造的形成有金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率相比，在實(shí)施例2中制造的形成有金屬電阻層的超小型發(fā)光二極管電極組件的藍(lán)色電致發(fā)光的發(fā)光效率更加提高。具體地，在實(shí)施例2中制造的形成有金屬電阻層的超小型電極組件的發(fā)光效率與在實(shí)施例1中制造的超小型電極組件的發(fā)光效率相比提高了約1.2倍。由此可見，如實(shí)施例1所示，當(dāng)僅向在電極線中的第一電極施加電源來形成金屬電阻層時(shí)，則在第二電極未形成金屬電阻層，或者，所形成的金屬電阻層不足以降低超小型發(fā)光二極管元件與第二電極之間的接觸電阻，因此，在實(shí)施例2中，通過以與實(shí)施例1相同的方法使在電極線中的第二電極與電源相連接來重新形成金屬電阻層，從而能夠提高超小型發(fā)光二極管電極組件的發(fā)光效率。<比較例3>除了代替所述表1的超小型發(fā)光二極管元件使用下表2的綠色超小型發(fā)光二極管元件之外，其余按照與比較例1相同的方法制得了超小型發(fā)光二極管電極組件。<實(shí)施例3>除了代替所述表1的超小型發(fā)光二極管元件使用下表2的綠色超小型發(fā)光二極管元件之外，其余按照與實(shí)施例2相同的方法制得了超小型發(fā)光二極管電極組件?！颈?】<實(shí)驗(yàn)例2>以將驅(qū)動(dòng)電壓的頻率從60Hz改變?yōu)?～21.0Vrms的方式向在比較例3和實(shí)施例3中制造的超小型電極組件的電極線施加驅(qū)動(dòng)電壓，對在該過程中發(fā)光的電致發(fā)光(electroluminescence，EL)的強(qiáng)度進(jìn)行觀察，結(jié)果如圖19和圖20所示。圖19為示出在比較例3中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓的電致發(fā)光強(qiáng)度的圖表，而圖20為示出在實(shí)施例3中制造的超小型發(fā)光二極管電極組件的根據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓的電致發(fā)光強(qiáng)度的圖表。具體地，由圖19可見，在最小4.0～5.5Vrms的范圍內(nèi)發(fā)出綠色光，但在圖20的情況下，在電壓更低的2.8～3.5Vrms的范圍內(nèi)也可以發(fā)出綠色光，因此，可以確定，根據(jù)是否進(jìn)行快速熱處理工序并是否形成金屬電阻層而接觸電阻顯著降低，且電接觸部分的電連接性也顯著提高。并且，至于隨著電壓的增加而升高的電致發(fā)光強(qiáng)度，圖20的超小型發(fā)光二極管電極組件的電致發(fā)光強(qiáng)度顯著大于圖19的超小型發(fā)光二極管電極組件的電致發(fā)光強(qiáng)度，具體地，根據(jù)數(shù)值可以確定電致發(fā)光強(qiáng)度在21.0Vrms提高了約371倍。另一方面，圖21為向比較例3的超小型發(fā)光二極管電極組件施加60Hz的交流電壓時(shí)發(fā)光的超小型發(fā)光二極管電極組件的照片，圖22為向?qū)嵤├?的超小型發(fā)光二極管電極組件施加21.0Vrms的交流電壓時(shí)發(fā)光的超小型發(fā)光二極管電極組件的照片。通過照片，可以用肉眼確定省略用于改善電連接的快速熱處理工序合或選擇性歐姆層的形成而僅使超小型發(fā)光二極管元件在電極上自動(dòng)整列，也如圖21所示電連接到可以用肉眼確定發(fā)光的程度，但可以看出與圖21相比，圖22的發(fā)光程度顯著提高，由此可以預(yù)測通過同時(shí)進(jìn)行快速熱處理工序和選擇性歐姆層的形成來能夠使接觸電阻顯著降低，且電連接性顯著提高。當(dāng)前第1頁1 2 3