技術編號：11766433
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及材料技術領域。更具體地，涉及一種樹枝狀多苯基取代金剛烷衍生物單分子樹脂、正性光刻膠組合物和負性光刻膠組合物。背景技術光刻膠又稱為光致抗蝕劑，是一類通過光束、電子束、離子束或x射線等能量輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，廣泛用于集成電路和半導體分立器件的微細加工。通過將光刻膠涂覆在半導體、導體或絕緣體表面，經曝光、顯影后留下的部分對底層起保護作用，然后采用蝕刻劑進行蝕刻就可將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工的襯底上，因此光刻膠是器件微細加工技術中的關鍵性材料。隨著半導體工業(yè)的迅...
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