技術編號：11709407
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體功率器件，更具體地，本發(fā)明涉及了一種帶溝槽陣列和空腔的碳化硅襯底結構。背景技術近年來國際上對節(jié)能減排越來越重視，這對大型電力電子設備的損耗控制和效率提升提出了更高的要求。作為電力電子設備的重要組成部分，半導體功率器件受到了業(yè)界的廣泛關注。減小半導體功率器件的導通電阻是提升電力電子設備的效率的重要手段。伴隨半導體功率器件不斷發(fā)展，器件性能逐漸提高。碳化硅材料作為新型寬禁帶半導體材料，應用在功率器件上預計可以在同樣擊穿電壓的情況下進一步降低導通電阻。進一步地，隨著對器件結構、外延層參...
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