技術(shù)編號:11692115
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于III-V半導體器件的水和離子阻擋層技術(shù)領(lǐng)域本申請涉及III-V半導體器件,具體地涉及用于III-V半導體器件的水和離子阻擋層。背景技術(shù)基于GaN的半導體由于突出的材料特性提供了相比于基于硅的半導體更優(yōu)異的性能品質(zhì)因數(shù)。另外,基于GaN的半導體還非常魯棒地抵抗氧化和其他化學物質(zhì)。然而,如果高電場被施加于潮濕環(huán)境內(nèi)的GaN器件,則這一魯棒方面不再有效。高電場和潮濕的結(jié)合導致GaN或AlGaN表面層的嚴重氧化,并且因此導致器件的損壞。AlxGa1-xN表面層與水之間的氧化還原反應(yīng)由下式給出:(1...
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