技術(shù)編號：11653082
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明具體涉及一種在極紫外(EUV)光刻技術(shù)中使用的多層膜反射鏡所需的EUV多層膜微觀結(jié)構(gòu)的高精度表征方法。背景技術(shù)EUV光刻技術(shù)被認(rèn)為是滿足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需求的，最有希望的下一代光刻技術(shù)。但在EUV波段，幾乎所有的材料都是不透明的，且折射率非常接近1，所以EUV光學(xué)系統(tǒng)不能采用傳統(tǒng)的折射光學(xué)元件，而必須采用反射式光學(xué)系統(tǒng)。因此，實(shí)現(xiàn)EUV光線高反射率的多層膜成為EUV光學(xué)系統(tǒng)的核心光學(xué)元件，同時(shí)，EUV多層膜也成為EUV光學(xué)領(lǐng)域科技研發(fā)的熱點(diǎn)與核心，受到國內(nèi)外研究團(tuán)隊(duì)的普遍關(guān)注。EUV多層膜獲得高...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。