技術(shù)編號(hào):11586818
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-VolatileMemory,NVM)元件及其制作方法。特別是有關(guān)于一種垂直通道存儲(chǔ)器元件及其制作方法。背景技術(shù)非易失性存儲(chǔ)器元件具有存入元件中的數(shù)據(jù)不會(huì)因?yàn)殡娫垂?yīng)的中斷而消失的特性,因而成為目前普遍被用來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器元件之一。閃存是一種典型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。制作具有垂直通道的非易失性存儲(chǔ)器元件,例如垂直通道NAND閃存的方法,一般是先以多個(gè)絕緣層和多晶硅層交錯(cuò)疊層在半導(dǎo)體基材上形成多層疊層結(jié)構(gòu),再于多層疊層結(jié)構(gòu)中形成貫穿開口,將基材暴露于外;...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。