技術(shù)編號(hào):11549421
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種大功率電子器件散熱用散熱器,特別是涉及一種熱超導(dǎo)翅片式散熱器及電器設(shè)備機(jī)箱。背景技術(shù)隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,模塊化、集成化、輕量化、低成本化和高可靠性的要求越來(lái)越高,因此在太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、充電樁、功率變換器(PCS)、有源電力濾波器(APF)、靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償器(SVG)、變頻器等電力設(shè)備上普遍采用MosFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、Diode(二極管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)等功率器件。由于這些功率元器件的集成度越來(lái)越高,功率密度也越來(lái)越大,...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。