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技術(shù)編號：11459621

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本發(fā)明涉及一種終端結(jié)構(gòu)，尤其是一種超結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法，屬于半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)超結(jié)場效應(yīng)晶體管是一種新型的MOSFET器件，SJ(Superjunction，超級結(jié))-MOSFET器件不同于傳統(tǒng)MOSFET器件，它的漂移區(qū)是由N和P交替的縱向柱所構(gòu)成，在耐壓時，N柱(N-pillar)和P柱(P-pillar)的相互耗盡形成電荷補(bǔ)償效應(yīng)，通過引入橫向電場，使得縱向電場在漂移區(qū)的分布盡量均勻平緩來提高擊穿電壓，超結(jié)結(jié)構(gòu)由于漂移區(qū)高的摻雜濃度，常規(guī)的終端結(jié)構(gòu)已不再滿足要求，需要提出相...
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