技術(shù)編號：11409368
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種負(fù)基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路，其用于例如NOR型閃存存儲器，并產(chǎn)生負(fù)的基準(zhǔn)電壓。背景技術(shù)圖7A及圖7B分別是現(xiàn)有例1的NOR型閃存存儲單元的縱剖視圖，且是表示以最大電壓18V或10V進(jìn)行福勒-諾德海姆(FowlerNordheim)的編程/抹除動作時所需的電壓關(guān)系圖。在圖7A及圖7B中，100是半導(dǎo)體基板，101是控制柵極，102是源極，103是漏極，104是浮置柵極。例如，NOR型閃存存儲器為隨機(jī)存取且需要高速性能，如圖7A及圖7B所示，為了進(jìn)行編程/抹除動作，使用10V等的正中間電壓及-...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。