技術(shù)編號：11343006
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及N型電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及N型雙面電池。背景技術(shù)N型硅材料具有以下的優(yōu)點(diǎn)：（1）N型材料中的雜質(zhì)對少子空穴的捕獲能力低于P型材料中的雜質(zhì)對少子電子的捕獲能力。相同電阻率的N型硅片的少子壽命比P型硅片的高，達(dá)到毫秒級。（2）N型硅片對金屬污雜的容忍度要高于P型硅片，F(xiàn)e、Cr、Co、W、Cu、Ni等金屬對P型硅片的影響均比N型硅片大。（3）N型硅電池組件在弱光下表現(xiàn)出比常規(guī)P型硅組件更優(yōu)異的發(fā)電特性。但是其在使用時(shí)，金屬區(qū)域和摻雜區(qū)域存在著嚴(yán)重的復(fù)合，降低電池的發(fā)電能力。實(shí)用新型內(nèi)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。